１．ＳｉＣパワー半導体の開発動向とＳｉＣウェハ開発

　　（１）．ＳｉＣの基礎と物性

　　　　ａ．身近なＳｉＣ

　　　　ｂ．ワイドギャップ半導体と特徴

　　　　ｃ．ＳｉＣウェハ

　　（２）．ＳｉＣパワー半導体への応用

　　　　ａ．ＳｉＣを使ったパワーエレクトロニクス技術

　　　　ｂ．ＳｉＣパワー素子がもたらす技術変革・応用事例

　　（３）．ＳｉＣウェハの材料技術開発の動向と市場の要求

　　　　ａ．パワー半導体用ＳｉＣウェハ開発の歴史

　　　　ｂ．国内・外でのＳｉＣウェハ開発動向

　　　　ｃ．ＳｉＣウェハ開発に対する今後の期待

２．ＳｉＣ単結晶製造技術

　　（１）．ＳｉＣ単結晶の合成・成長方法

　　　　ａ．ＳｉＣの合成

　　　　ｂ．ＳｉＣ単結晶の量産技術

　　　　ｃ．各種ＳｉＣ単結晶成長技術の特徴

　　　　ｄ．シリコンから見たＳｉＣ単結晶製造技術の課題と期待

　　（２）．結晶多形と特徴

　　　　ａ．ＳｉＣの結晶多形（ポリタイプ）と物性

　　　　ｂ．多形制御技術

　　（３）．結晶欠陥と制御

　　　　ａ．ＳｉＣ単結晶の結晶欠陥と影響

　　　　ｂ．ＳｉＣ単結晶の欠陥評価技術

　　　　ｃ．ＳｉＣ単結晶の欠陥抑制技術

　　（４）．大口径結晶の成長

　　　　ａ．ＳｉＣ単結晶の口径拡大成長技術

　　　　ｂ．大口径化がもたらす効果と技術課題

　　（５）．ｎ／ｐ型の伝導度制御

　　　　ａ．ＳｉＣ単結晶の伝導度制御

　　　　ｂ．ＳｉＣ単結晶の低抵抗化技術

３．ＳｉＣウェハ加工技術

　　（１）．ＳｉＣのウェハ加工

　　　　ａ．ＳｉＣウェハ加工工程と技術課題

　　（２）．ウェハ切断工程

　　　　ａ．ＳｉＣ単結晶の切断技術

　　　　ｂ．切断工程の高速化技術

　　　　ｃ．切断工程の課題と新しい切断技術

　　（３）．ウェハ研削工程

　　　　ａ．ＳｉＣウェハの研削加工

　　　　ｂ．研削加工の高速・鏡面化技術

　　　　ｃ．研削工程の課題と新しい研削加工技術

　　（４）．ウェハ研磨工程

　　　　ａ．ＳｉＣウェハの研磨加工

　　　　ｂ．研磨加工と研削加工の特徴や違い

　　　　ｃ．研磨工程の課題と新しい研磨加工技術

　　（５）．ＣＭＰ工程

　　　　ａ．ＳｉＣウェハのＣＭＰ加工

　　　　ｂ．ＣＭＰの高速化技術

　　　　ｃ．ＣＭＰ工程の課題と新しいＣＭＰ加工技術

　　（６）．加工変質層と評価

　　　　ａ．加工が及ぼすＳｉＣウェハ表面の加工変質層とその特徴

　　　　ｂ．加工変質層の評価技術

　　　　ｃ．加工変質層の抑制技術

　　（７）．大口径化対応

　　　　ａ．ＳｉＣウェハ加工における大口径化対応の技術課題

　　　　ｂ．大口径化対応へ向けた解決策の検討