～ パワーデバイス、パワーデバイスパッケージの構造と特徴、パワーモジュールパッケージの設計技術と高耐熱化、低寄生インダクタンス化、低熱抵抗化 ～
・低損失、高耐圧、高温動作が可能というＳｉＣ、ＧａＮの性能を発揮するパワーモジュールとパッケージ技術を修得し、製品開発へ応用するための講座
・パワーモジュールパッケージで重要な高耐熱化、低寄生インダクタンス化、低熱抵抗化を実現する技術を先取りし、高性能なパワーデバイスの開発に活かそう！
・ＷＥＢ会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。
SiC( Silicon Carbide）やGaN(Gallium Nitride)などのワイドバンドギャップ半導体はSiと比較して低損失、高耐圧、高速スイッチング動作および高温動作が可能という特徴があることから次世代パワーデバイスとして期待されている。一方で、ワイドバンドギャップ半導体の性能を発揮するために、パワーモジュールパッケージの高耐熱化、低寄生インダクタンス化、低熱抵抗化がきわめて重要な課題となる。
本セミナーではパワーデバイスの中身とパッケージ構造およびパワーモジュールパッケージ設計技術を解説し、次世代ワイドバンドギャップ半導体を実装するパワーモジュールパッケージの技術課題を踏まえた開発事例を紹介する。
| 開催日時 |
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|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 |
・パワーデバイス関連業務に従事されている方 ・パワーデバイスのパッケージングに関心を持たれている方 ・インバータ、電子部品、電子回路、半導体ほか関連企業の技術者の方 |
| 予備知識 | ・電気回路、半導体工学の基礎知識 |
| 修得知識 |
・パワーデバイスおよびそのパッケージング技術の基本知識 ・パワーモジュールパッケージの設計技術の概要 ・SiCやGaN HEMTを実装したパワーモジュール開発事例 |
| プログラム |
１．最先端パワーデバイスへの要求 ２．パワーデバイスの構造とその特徴 ３．パワーデバイスパッケージの構造 ４．パワーモジュールパッケージの設計技術とそのポイント ５．パワーデバイスパッケージの製造工程とそのポイント ６．ワイドバンドギャップ半導体向けパワーモジュールパッケージの開発への応用 |
| キーワード |
パワーエレクトロニクス パワーデバイス 電力変換機器 パワーディスクリート パワーモジュール 熱抵抗 絶縁 パッケージインダクタンス |
| タグ | パワーデバイス、実装、電子部品、LSI・半導体 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
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