GaN(窒化ガリウム)の基礎とパワーデバイス(GaN on GaN)への応用および最新技術 <オンラインセミナー>

~ パワーデバイスとパワー半導体、GaNの物性と用途、GaN結晶とGaN on GaNとヘテロエピGaN、GaNパワーデバイス作製プロセス ~

GaNの物性や用途を修得し、GaN on GaNを使った高性能パワーデバイス最新技術の開発に応用するための講座

GaNの基礎から特性を最も引き出せるデバイス設計に必要な技術を修得し、高性能パワーデバイスの開発に活かそう!

講師の言葉

 GaNは半導体の中でも特に用途が多岐にわたる半導体です。その中でもパワーデバイスとしての利用について、近年注目が集まっていて研究開発が盛んに行われています。

本セミナーではパワーエレクトロニクスの簡単な説明から始めて、なぜGaNなのか、その中でもGaNの特性を最も引き出せるGaN on GaNデバイスに関する技術を中心に最新情報を交えながら解説します。

本講座の申し込み受付は終了いたしました。

セミナー詳細

開催日時
  • 2024年11月28日(木) 10:30 ~ 17:30
開催場所 オンラインセミナー
カテゴリー オンラインセミナー電気・機械・メカトロ・設備
受講対象者 ・パワーデバイス、ワイドバンドギャップ半導体に携わる方、興味のある方
予備知識 ・基本的な半導体に関する知識や、トランジスタ・ダイオードのことを理解していると分かりやすい
修得知識 ・GaNパワーデバイスに関する知識
・パワーエレクトロニクスからみたGaN on GaNデバイスの最新技術
プログラム

1. パワーデバイスの基礎

(1).パワーエレクトロニクスとは

(2).パワーデバイスについて

(3).パワー半導体とは

(4).パワーデバイス・モジュールができるまでの工程

 

2. GaNの物性と用途

(1).GaNの物性 なぜGaNなのか

(2).GaNの用途

(3).パワー半導体としてのGaN

(4).GaNパワーデバイスの狙い

 

3. GaNの結晶成長方法とGaN基板

(1).様々なGaNの結晶成長方法とその特徴

(2).基板とデバイス層

(3).GaN on GaNとヘテロエピGaN

(4).GaN基板のラインナップ

(5).GaN基板ができるまでの加工工程

(6).ウェハ・結晶評価

 

4. GaNパワーデバイス作製プロセスとそのポイント

(1).GaN結晶と半導体プロセス

(2).GaNデバイス作製プロセスの様々な課題

 

5. GaNパワーデバイスの特性と評価

(1). デバイス設計について

(2).基本的なGaNパワーデバイスの特性

(3).様々なGaNパワーデバイス

(4).パワーデバイス評価

 

6. デバイス作製後のプロセス

 

7. まとめ

 

キーワード GaN GaN on GaN 半導体 パワーデバイス GaN結晶 基板 半導体プロセス デバイス作製プロセス デバイス設計 SiC
タグ 基板・LSI設計電気電子機器電子部品LSI・半導体
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
オンラインセミナー
本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。
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