１．ＣＭＰ技術の導入経緯（導入期）

　　（１）．ＣＭＰ以前の段差緩和手法

　　（２）．リソグラフィーの制約条件

　　（３）．平坦化手法としてのＣＭＰの導入

　　（４）．ドライイン・ドライアウト方式

　　（５）．ダマシン法への適用ＣＭＰの適用

　　　　ａ．選択比の考え方

　　　　ｂ．ＳＴＩプロセスへの適用

　　　　ｃ．Ｃｕ配線プロセスへの適用

２．ＣＭＰ装置構成と部材および適用例

　　（１）．装置構成

　　　　ａ．定盤部分

　　　　ｂ．ポリシングヘッド構造の変遷

　　　　ｃ．エンドポイント

　　　　ｄ．洗浄部分

　　　　ｅ．残膜測定

　　（２）．ＳＴＩ－ＣＭＰの適用例

　　（３）．Ｃｕ－ＣＭＰへの適用例

　　（４）．スラリー

　　　　ａ．材料除去メカニズム

　　　　ｂ．ゼータ電位

　　　　ｃ．プルベー線図

　　　　ｄ．動的電気化学測定の実用例

　　　　ｅ．ＳＴＩ、Ｃｕ－ＣＭＰにおける選択比制御

　　（５）．ポリシングパッドの役割

　　　　ａ．ポリシングパッドの種類

　　　　ｂ．溝形状の影響

　　　　ｃ．ドレッシングプロセス

　　　　ｄ．表面アスペリティの評価（研究事例）

　　　　　　・パッドの種類と研磨特性の関係

　　　　　　・ポリシングパッド表面の管理手法

３．ＣＭＰプロセスの管理手法とそのポイント

　　（１）　研磨レートの管理手法

　　（２）　歩留まりと均一性

　　（３）　スループット

　　（４）　研磨部材の管理

　　　　ａ．ライフタイム

　　（５）　コスト

　　（６）　選択比の設定

４．パワー半導体への適用

　　（１）　パワー半導体用基板形成法

　　（２）　基板製造における課題

　　　　　ａ．歪み場の抑制

　　（３）　基板の管理手法

　　（４）　高効率研磨微粒子の開発（研究事例）

　　　　ａ．低屈折率透明パッドの開発事例と応用例

５．ＣＭＰに関する研究事例の紹介

　　（１）　インプリント技術を用いた低屈折率透明パッドの作製

　　（２）　研磨中におけるナノ微粒子観察手法

　　（３）　研磨中における酸化膜残膜量の定量化

　　（４）　ＳｉＣ基板研磨の高速化

　　　　ａ．イオン注入の併用

６．半導体技術とＣＭＰの将来展望について

　・パワー半導体、Sic基板の高効率研磨と高速化