次世代パワー半導体(SiC、GaN)における高温対応実装技術と熱設計のポイント <オンラインセミナー>

~ 放熱パワーモジュール構造の開発、銀粒子焼結接合技術と異種材界面の接合、電子機器熱設計のための伝熱工学、空冷技術、浸漬冷却技術の最新技術 ~

・SiCやGaNなどを使用する上で不可欠となる高温対応実装と熱設計技術を修得し、デバイスの長期信頼性確保を実現するための講座
・200℃~300℃の高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、空冷・液冷・沸騰浸漬冷却の最新技術を修得し、信頼性の高いパワーデバイスの開発に応用しよう!

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講師の言葉

(第1部)
 SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ(WBG)半導体材料を利用し、省エネ高効率化と小型軽量化の双方を兼ね備えるパワーデバイスの実現には、実装の長期信頼性構築が不可欠である。そのため、WBGパワーデバイスが曝される200℃~300℃の高温度領域でも動作保証する放熱材料、構造、冷却技術の革新的な技術の開発と信頼性評価が必要となる。この講座では高耐熱と高熱伝導率の焼結Agペーストを紹介し、異なる異種材との接合の特徴、またそれによる接合構造の新展開、構造信頼性結果をわかりやすく、かつ丁寧に解説する。

(第2部)
 本講義では、今後のパワー半導体実装において、カーボンニュートラルを意識した省エネ促進技術が重要であることを紹介した後、先ず、熱設計で必要となる伝熱工学の基礎について教授します。また、空冷・液冷・沸騰浸漬冷却技術における冷却能力の差、そしてそれぞれの冷却技術において必要となるエネルギーについて理解を深めます。その後、伝熱相関式を用いた冷却面温度の予測方法について説明し、エクセルを用いて簡易的な演習を行います(例えば、ある発熱密度における冷却面温度の予測や制御方法について)。更に、今後の省エネ技術として期待されているSiCやGaNを用いたパワー半導体の実装設計を取り上げ、設計で重要課題となる接触熱抵抗やヒートスプレッダの課題について紹介し、特に高発熱密度環境における熱設計の考え方の特異性について理解を深めます。最後に、空冷・液冷・沸騰浸漬冷却の最新技術、ならびに今後の実装設計において重要なツールとなるCAE導入の考え方・活用法について紹介します。

セミナー詳細

開催日時
  • 2023年08月03日(木) 10:30 ~ 17:30
開催場所 オンラインセミナー
カテゴリー オンラインセミナー電気・機械・メカトロ・設備
受講対象者 ・次世代WBGパワー半導体の実装技術や構造設計、信頼性評価などに携わる方
・パワーデバイス、パワーモジュールを扱う電子部品、電子機器、電装品ほか関連部門の方
予備知識 ・次世代パワーモジュール構造と実装に関する基礎知識があると理解しやすい
修得知識 ・銀焼結接合技術と異種材界面接合技術
・高放熱パワーモジュール構造設計
・SiCパワーモジュール信頼性評価と劣化特性
・電子機器実装に関する簡単な熱設計ができるようになります
プログラム

(第1部)次世代パワーモジュールに向けた実装技術と構造信頼性評価

1.WBGパワー半導体
  (1).WBGパワー半導体の特徴
  (2).WBGパワーモジュールの構造および開発動向

2.高温向けに求める実装技術
  (1).鉛フリーはんだと固液相接合
  (2).金属粒子焼結接合

3.銀粒子焼結接合技術と異種材界面の接合
  (1).銀粒子焼結接合技術の特徴
  (2).新型ミクロンサイズ銀粒子の低温焼結
  (3).異種材界面接合とメカニズム

4.高放熱パワーモジュール構造の開発
  (1).オール銀焼結接合の放熱性能評価
  (2).銀焼結の信頼性評価と劣化特性

(第2部)次世代パワー半導体実装における熱設計

1.はじめに
 ・次世代パワー半導体実装における省エネ化の必要性

2.電子機器熱設計のための伝熱工学
  (1).熱伝導
  (2).熱伝達(沸騰熱伝達含む)
  (3).輻射

3.伝熱相関式による簡易熱設計法
  (1).空冷/液冷/浸漬冷却の性能差
  (2).空冷/液冷における熱設計方法
  (3).沸騰浸漬冷却における熱設計方法

4.パワー半導体の実装設計における重要課題
  (1).接触熱抵抗について
  (2).ヒートスプレッダ(熱拡散板)について

5.空冷技術、浸漬冷却技術の最新技術
  (1).ポーラス体を使った新しい空冷技術
  (2).新しい沸騰浸漬冷却技術(ポーラス体や気泡微細化沸騰の利用)

6.パワー半導体実装設計におけるCAE(コンピュータシミュレーション)の活用
  (1).CAEソフトは何をやっている?
  (2).複雑系におけるCAE(CFDを例に)
  (3).CAEの近未来像

7.おわりに

キーワード 熱設計 伝熱工学 熱伝導 輻射 空冷 液冷 浸漬冷却 沸騰浸漬冷却 パワー半導体 ヒートスプレッダ ポーラス体 沸騰浸漬冷却技術
タグ パワーデバイス熱設計LSI・半導体
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
オンラインセミナー
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