～ ＧａＮデバイスの構造と特長・応用、ＧａＮ横型デバイス・縦型パワーデバイスの信頼性のポイント、信頼性確保と結晶成長 ～
・GaN特有の劣化の診断・対策と歩留まり向上につながる結晶成長法を修得し、デバイスの信頼性確保に活かすための講座！
・GaNの横型デバイス・縦型デバイスの基礎GaN特有のブレイクダウン、ゲートリークや結晶成長法を修得し、GaNデバイスの効果的な活用と信頼性確保に活かそう！
・ＷＥＢ会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。
ＧａＮデバイスの基礎と信頼性確保のポイント＜オンラインセミナー＞
講師の言葉
現在、パワー半導体は主にSiが使われているが、電力の高密度化や動作周波数が増加に伴い、SiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体を使ったパワー半導体等の活用が不可欠となっている。
近年、GaN横型パワー半導体は小型急速充電器に掲載され、今後はデータセンターの電源関連や車載DCDCコンバーターならびにオンボード充電器（OBC）等への用途に拡大すると言われている。
横型GaNデバイスは民生用電子機器市場のかなりのシェアを含む低・中電圧アプリケーション（200～600V）において、従来のSiデバイスと置き換わる最も優れた候補である。しかしながら、新しい半導体材料で結晶品質も十分でなく、GaN特有の劣化現象も現れており、劣化機構の解明、対策も急速に進められている。
本講義では、パワー半導体、特にGaNの結晶成長から基本的なデバイス構造を解説し、劣化機構や信頼性の向上に向けた開発状況について解説する。
セミナー詳細
| 開催日時 |
|
|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | オンラインセミナー、品質・生産管理・ コスト・安全 |
| 受講対象者 |
・パワーエレクトロニクス、電気工学、電子工学、半導体工学などの電気系の技術者の方 ・パッケージ材料（接合材料、絶縁樹脂等）、受動部品などの材料・部品系の技術者の方 ・パワー半導体を応用した製品開発の技術者の方 |
| 予備知識 | ・理系高卒程度の物理・化学、半導体の概要程度の知識 |
| 修得知識 |
・パワー半導体の物性、デバイス特性・パワー半導体の働きと応用領域 ・パワー半導体のキラー欠陥、劣化のメカニズム、劣化診断、対応策 |
| プログラム |
１．パワー半導体の技術動向 （１）．なぜワイドバンドギャップ半導体が必要か （２）．ＧａＮ ＨＥＭＴデバイス（ＲＦ）の応用展開 （３）．ＧａＮ ＨＥＭＴ デバイス（スイッチング素子）の応用展開 （４）．ＧａＮ 縦型パワーデバイスの動向
２．ＧａＮデバイスの構造と特長・応用 （１）．横型デバイス ａ．二次元電子ガスの発生 ｂ．ＨＥＭＴ （２）．縦型デバイス ａ．ＭＯＳ構造の基礎 ｂ．ＭＯＳＦＥＴ
３．ＧａＮ横型デバイスの信頼性確保と対策 （１）．パワーデバイスの信頼性とＧａＮ特有の問題 （２）．ブレイクダウン：信頼性確保の条件 ａ．横方向ブレイクダウン ｂ．縦方向ブレイクダウン （３）．ゲートリーク ａ．絶縁ゲート構造 ｂ．p型ゲート構造 （４）．電流コラプス （５）．その他 （６）．信頼性のモデル：劣化のメカニズム、劣化診断
４．縦型パワーデバイスの信頼性確保と対策 （１）．ＧａＮ結晶の特性 （２）．信頼性確保と結晶成長 （３）．研磨加工 （４）．キラー欠陥の最新研究動向
５．次世代パワーデバイス周辺の信頼性とGaNデバイスの関係 （１）．半田 （２）．ボンド ワイヤ （３）．絶縁基板 （４）．その他
６．まとめ |
| キーワード | ワイドバンドギャップ半導体 ＧａＮデバイス ＧａＮ横型デバイス 縦型パワーデバイス 結晶成長法 信頼性のモデル キラー欠陥 |
| タグ | 品質管理、パワーデバイス、電子部品 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
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