～ Ga2O3トランジスタ開発、Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発、ミストCVD法、ゲルマニウム（GeO2）の結晶成長とデバイス応用、結晶中の欠陥評価事例 ～
・SiC、 GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在もっとも注目を集めている酸化ガリウムの結晶成長からデバイス開発、信頼性に至るまで総合的に修得できる特別講座
・高い電圧をかけても壊れにくい圧倒的な電気的特性（低損失・高耐圧）を持ち、製造コストが劇的に安くなることで実用化が最も期待される酸化ガリウムの最新技術を解説する特別セミナー！
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（第１部）
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
（第２部）
近年新しいパワー半導体材料として大きな注目を浴びている酸化ガリウムの作製技術について詳細に説明します。特に酸化ガリウムの薄膜作製でよく用いされているミストCVD法の原理やミストCVD法での酸化ガリウムの作製例を中心に紹介します。また酸化ガリウムには複数の結晶多形があり、それぞれの作製条件が異なります。目的のデバイス応用に向けてはこれらの目的の結晶多形を作り分ける必要がありますが、その結晶多形を得るための指針などについても紹介します。さらに新しいパワー半導体材料であるルチル二酸化ゲルマニウムの結晶成長とデバイス応用例についても紹介します。
（第３部）
酸化物半導体の一つである酸化ガリウムには、α, β, γ, δ, κの５つの多形があります。その中でも、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、最安定相で、バンドギャップも4.5～4.9 eVと大きく、また電気伝導度も高いため、ショットキバリアダイオード（SBD）などのパワーデバイスや紫外域の受光素子の作製が可能です。
各種デバイス開発においては、素子の高性能化や高信頼化を図るため、結晶中の様々な欠陥を低減することが不可欠になります。そのためには、結晶中の欠陥を評価すると共に、それらの形成機構を明らかにすることが必要です。今回は、本講師の永年にわたる豊富なデータや知見に基づいて、β型酸化ガリウム結晶中の欠陥の評価、それらのデバイスへの影響、およびデバイスの信頼性について詳しく説明します。
| 開催日時 |
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|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 |
・半導体、自動車部品、電機、化学、半導体装置などパワー半導体や半導体製造装置に興味のある方 ・酸化物半導体をベースとした各種電子デバイスの研究、開発、設計、製造、信頼性試験・解析に従事している方 ・関連する電子デバイス、ワイドギャップ半導体材料、およびそれらの実装関連分野の方 |
| 予備知識 | ・半導体デバイスに関する基礎知識があれば理解しやすい |
| 修得知識 |
・酸化ガリウムの基礎物性、ミストCVD法の原理、酸化ガリウムの作製方法 ・酸化ガリウム結晶の成長、結晶評価 ・パワーデバイスの作製および評価 ・酸化ガリウム結晶の成長と評価、デバイスの高性能化・高機能化のポイント ・欠陥の評価とその低減化・高品質化 ・デバイスの劣化メカニズム、その結果、デバイス開発上の諸課題の解決に向けた方策が得られ、製品の高性能化、高機能化、高信頼化を図って行く上でこれからの実績に活かすことができます |
| プログラム |
（第１部）β型酸化ガリウムエピタキシャル成長・デバイス開発 １．はじめに ２．Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術 ３．Ga2O3トランジスタ開発 ４．Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発 ５. まとめ、今後の課題 （第２部）酸化ガリウムの薄膜成長と高品質化および二酸化ゲルマニウムの薄膜成長とデバイス応用 １．酸化ガリウムの基礎物性 ２．ミストCVD法 ３．酸化ガリウムの作製技術 ４．酸化ガリウムの作製技術 （第３部）β型酸化ガリウム結晶中の欠陥の評価、それらのデバイスへの影響、およびデバイスの信頼性 １．β型酸化ガリウム結晶中の欠陥の分類（欠陥種とその概要） ２．β型酸化ガリウム結晶の主な評価技術（欠陥の評価を中心として） ３．β型酸化ガリウム結晶中の欠陥の評価事例 ４．β型酸化ガリウム結晶中の欠陥のデバイスへの影響 ５．β型酸化ガリウムSBDの信頼性研究の動向（最近のトピックス） |
| キーワード |
β型酸化ガリウム（β-Ga2O3） ワイドバンドギャップ半導体 エピタキシャル成長 ミストCVD法 フィールドプレート構造 Ga2O3ショットキーバリアダイオード（SBD） ドリフト層形成技術 結晶多形 結晶成長の欠陥制御 転位（Dislocation）評価 積層欠陥（Stacking Fault）評価 ルチル型二酸化ゲルマニウム |
| タグ | 信頼性試験・故障解析、パワーデバイス、電子部品、LSI・半導体 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
営業時間 月~金：9:00～17:00 / 定休日：土日・祝日
