～ パワーエレクトロニクスに用いられるデバイスと特性、酸化ガリウムをはじめとする次世代半導体（窒化アルミニウム・ダイヤモンド・酸化ゲルマニウムなど）の特性とデバイス応用 ～
・SiCやGaNの次に期待される、ワイドギャップ半導体のデバイス応用による新製品・新規事業創出に活かすための講座！
・最も注目される酸化ガリウム半導体デバイスを中心に、最新のパワーデバイス技術を先取り、製品における高電圧かつ高電流の領域での高効率化や高温動作への応用に活かそう！
・ＷＥＢ会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。
電気エネルギーの効率的な消費（消費電力エネルギーの削減）に向けて、電力制御に用いられるパワー半導体デバイスの役割が一つのカギを握ります。すなわち、パワー半導体デバイス自体で消費されるエネルギーが小さい、電力制御を効率的に行うことができる、といった特徴が求められます。Siに変わり、次世代半導体と呼ばれたSiC、GaNがこの特徴に叶う半導体材料として活発な研究が行われ、前者は電動自動車や電車、後者は電源アダプター等に実用化が進んできました。その意味では、もはや「次世代」半導体と言えないかもしれません。今後、さらに幅広い電力分野への適用、例えば10kV以上の電力機器や発送配電設備等での利用に向けて、次々世代半導体と呼ばれ、次世代半導体よりもバンドギャップの大きい半導体、例えばGa2O3、AlN、ダイヤモンド等への期待が高まっています。
セミナーでは、これらの中で注目されている酸化ガリウム（Ga2O3）に焦点を当て、その特徴と開発の動向を述べます。また。このようなパワー半導体デバイスが広がることにより、社会のインフラやシステムにも変革が期待されます。前者は例えば直流送電を基本とするスマートホームやスマートシティにつながると思われます。したがって、パワー半導体デバイスそのものを扱っておられる研究者、技術者の方に限らず、広い専門分野の方にパワー半導体デバイスの進展、次々世代に何が起こりそうか、といった知識を持っていただき、新しいチャンスにつなげていただきたいと思っています。
| 開催日時 |
|
|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 |
・電子部品、半導体、化学材料等の企業で半導体デバイスおよび周辺技術の開発に携わる方 ・パワーエレクトロニクスの回路応用について設計・開発に携わる方 ・新規半導体材料・デバイスを見込んで新製品、新規事業の創出を目指す方 |
| 予備知識 | ・半導体物性の基本、半導体デバイスの基本的な動作原理 |
| 修得知識 |
・次々世代パワー半導体に関する研究開発の現状 ・次々世代パワー半導体の特徴と応用への見通し ・パワー半導体デバイスの広い応用分野に関する知見 |
| プログラム |
１．パワーエレクトロニクスに用いられるデバイスと特性 （１）．パワーエレクトロニクスに用いられるデバイス （２）．パワーエレクトロニクス・デバイス材料に求められる特性 （３）．ワイドバンドギャップ半導体が用いられる理由
２．次世代ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術とパワエレデバイスへの応用 （１）．炭化ケイ素 (SiC) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用 （２）．窒化ガリウム (GaN) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用
３．次々世代半導体：ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術とパワエレデバイスへの応用 （１）．酸化ガリウム (Ga2O3) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用 ａ．Ga2O3の物性的な特徴 ｂ．Ga2O3の結晶形：β－Ga2O3とα－Ga2O3 ｃ．Ga2O3パワーデバイス研究の黎明期 ｄ．β－Ga2O3パワーデバイスの研究開発 ｅ．β－Ga2O3パワーデバイスの最近のブレークスルー ｆ．α－Ga2O3パワーデバイスの研究開発 ｇ．α－Ga2O3パワーデバイスの最近のブレークスルー ｈ．Ga2O3パワーデバイスのインパクト （２）．窒化アルミニウム・ガリウム (AlGaN) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用 （３）．ダイヤモンド (DIA) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用 （４）．酸化ゲルマニウム (GeO2) のパワーエレクトロニクス・デバイス応用 （５）．応用のポイント ａ．高電圧かつ高電流の領域での高効率化 （例：リニアモーターカー・電動航空機、高電圧での電力輸送系統） ｂ．高温動作、高い放射線耐性例： （深い地中、宇宙など極限環境、原子炉等） ｃ．Ga2O3：高電圧・高電流の領域に限らず、デバイスの低コスト化
４． まとめ |
| キーワード | パワーエレクトロニクス 炭化ケイ素 (SiC) 窒化ガリウム (GaN) 酸化ガリウム (Ga2O3) ダイヤモンド (DIA) 酸化ゲルマニウム (GeO2) |
| タグ | パワーデバイス、LSI・半導体 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
営業時間 月~金：9:00～17:00 / 定休日：土日・祝日
