• 2025年05月29日(木) 10:30 ~ 17:30

１．発熱量の高精度見積りに必要となるパワーデバイスの実践的モデリング
　　（１）．モデル流通やモデルベース開発の業界動向
　　（２）．モデルベース開発のメリットと電子回路設計のフロントローディング化
　　（３）．国内協会の動き
　　（４）．回路シミュレータによる電気と熱の連成解析の原理
　　（５）．電気解析結果を熱解析に応用した事例
　　（６）．EV制御検討時に熱の影響を考察
　　（７）．モデルに求められること
　　（８）．データシートベースモデルを熱設計に有効活用
　　（９）．解析結果を実機レベルに近づけるポイント
　　（１０）．簡単に精度よくモデリングするには？
　　（１１）．AIテクノロジーによるモデリング
　　（１２）．パワーデバイスのAIモデリング事例

２．パワーMOSFETモデルに必要なコンパクトモデル
　　（１）．コンパクトモデル
　　（２）．DIODEモデル
　　（３）．BSIM３モデル

３．LTspiceによるパワーMOSFETのハンズオンモデル作成と実践ポイント（実習）
　　（１）．パワーMOSFETのマクロモデルの構造
　　（２）．MOSFET部BSIM３モデルのパラメータ
　　（３）．ダイオード部DIODE（LEVEL１）モデルのパラメータ
　　（４）．モデリングの流れ
　　（５）．MOSFET部のDCパラメータ調整(２５℃)
　　（６）．MOSFET部のDCパラメータ調整(温度依存)
　　（７）．DIODE部のDCパラメータ調整(２５℃)
　　（８）．DIODE部のDCパラメータ調整(温度依存)
　　（９）．容量パラメータ調整
　　（１０）．ゲートチャージ特性について
　　（１１）．スイッチング特性の調整
　　（１２）．リカバリ特性の調整
　　（１３）．BSiM３パラメータ範囲の指針

日本テクノセンター研修室