（第一部）

１．半導体とは

　　（１）．半導体ってすごい

　　（２）．導体・絶縁体と半導体の違いと電子の動作

　　（３）．半導体の概要

　　（４）．半導体素子の種類と機能

２．半導体素子基礎

　　（１）．整流素子：ダイオード

　　（２）．スイッチング素子：ＭＯＳＦＥＴ

３．パワー半導体、チップ技術（構造と特徴とメリット）

　　（１）．整流素子：パワーダイオードの構造と特徴

　　（２）．スイッチング素子：パワーＭＯＳＦＥＴの構造と特徴

　　（３）．スイッチング素子：ＩＧＢＴの構造と特徴

　　（４）．ＳｉＣ半導体と、ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの構造、特徴とメリット

４．パワー半導体、パッケージ技術（構造、寿命、特徴と最新パッケージ技術）

　　（１）．パッケージの基本構造と機能

　　（２）．パワー半導体の寿命とパッケージ

　　（３）．ＳｉＣパワー半導体チップを生かす最新パッケージ動向

５．パワー半導体モジュールの作り方

　　（１）．パワー半導体モジュールができるまでの工程

　　（２）．原材料からパワー半導体用ウエハができるまで

　　（３）．前工程：ウエハにパワー半導体チップを作り込むための代表的な製造装置とＩＧＢＴチップを作る工程概略

　　（４）．後工程：パワー半導体チップと専用部品を組み立て、パワー半導体モジュールが出来るまでの工程概略

６．パワー半導体モジュールの応用と例

　　（１）．パワー半導体モジュールの応用例

　　（２）．パワー半導体モジュールでＥＶのモーターが回るしくみ

　　（３）．ＳｉＣパワー半導体モジュールのメリットを生かした応用例

７．まとめと質疑応答

（第二部）ＳｉＣパワーデバイス拡大に向けての技術ポイント

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは？

　　（１）．パワエレ＆パワーデバイスの仕事

　　（２）．パワー半導体の種類と基本構造

　　（３）．パワーデバイスの適用分野

　　（４）．パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか？

　　（５）．ＭＯＳＦＥＴ・ＩＧＢＴだけが生き残った。なぜ？

　　（６）．パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．ＳｉＣパワーデバイス拡大に向けての技術ポイント

　　（１）．半導体材料の変遷

　　（２）．なぜＳｉＣパワーデバイスが新材料パワーデバイスの中でトップランナーなのか

　　（３）．ＳｉＣのＳｉに対する利点

　　（４）．各社はＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴを開発中。なぜＳｉＣ－ＩＧＢＴではないのか？

　　（５）．ＳｉＣパワーデバイス拡大のために解決すべき４つの課題　　技術の拡大

　　（６）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ最近のトピックス

　　　　ａ．ウェハ

　　　　ｂ．ＭＯＳＦＥＴ構造

　　（７）．ＳｉＣデバイス信頼性向上のポイント

　　（８）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ内蔵ダイオードのＶｆ劣化とは？何を言いたいのか

　　（９）．将来のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ技術

　　（１０）．ＳｉＣパワーデバイス実装技術

　　　　ａ．高温動作ができると何がいいのか　高温動作による利点、応用　　　車のエンジン

　　　　ｂ．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール用パッケージ

　　　　ｃ．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュールに必要な実装技術

３．まとめ