１．半導体の基本的性質

（１）．半導体とは

（２）．半導体の性質

２． MOS トランジスタの動作原理

（１）．MOS Capacitorの動作

（２）．MOS トランジスタの特性

３． CMOS LSIの作製プロセスと微細化

（１）．半導体製造技術の概要

a. Planar技術

b. 微細化による性能向上、高集積化

c. LSI製造工程の分類 （ 前工程と後工程、FEPとBEP ）

（２）．CMS LSIの作製プロセスフロー

４． CMOS LSIのプロセス技術

（１）．Lithography

a. 微細Pattern形成 (露光光波長、光学系性能、超解像技術)

b. フォトマスク（Reticle）

c. フォトレジスト

（２）．不純物導入技術

a. イオン注入

b. 活性化熱処理

（３）．Etching

a. 反応性イオンEtching（Reactive Ion Etching ： RIE）

b. 垂直加工

（４）．成膜技術

a. 熱酸化

b. 化学気相成長法 (Chemical Vapor Deposition ： CVD)

c. Sputtering （Physical Vapor Deposition ： PVD）

d. メッキ技術（Electro-Chemical Deposition ： ECD）

e. 塗布技術（Spin on Glass ： SOG）

（５）．平坦化（Chemical Mechanical Polish : CMP) 技術

a. 平坦化の必要性

b. CMP技術

（６）．洗浄技術

a. Batch式洗浄法

b. 枚様式洗浄法

５． MOS トランジスタの信頼性向上技術

（１）．Gate絶縁膜信頼性

（２）．配線の信頼性

６． CMOS LSIの更なる発展 ( 高集積化と配線の効率化 )

（１）．短チャネル効果の回避 （Fin FET、FDSOI Tr、Nanosheet Tr）

（２）．更なる高集積化 (Forksheet Tr、CFET)

（３）．配線の効率化 (Backside Power Distribution Network ： BSPDN)

７． CMOS製造プロセス技術のまとめ

（１）．高性能化、高集積化のためのキーポイント