酸化ガリウムの基礎と高効率パワーデバイス開発への応用およびそのポイント　＜オンラインセミナー＞

～酸化ガリウムとその他パワーデバイス材料の比較、融液成長によるバルク単結晶育成技術、Ｆｌｏａｔｉｎｇ　Ｚｏｎｅ法、エピタキシャル薄膜成長技術、デバイス作製プロセスと要素技術、パワーデバイス開発技術　～

・酸化ガリウムの基礎から修得し、電力変換の高効率化のためのパワーデバイス開発の実現に活かすための講座！

・酸化ガリウムデバイスのデバイス作製プロセスと要素技術を修得し、電力変換の高効率化と低コスト化を活かしたデバイス開発に応用しよう！

・酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるＩｏＴを実現するデバイスとしての応用へも期待されています

・ＷＥＢ会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。

講師の言葉

　喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。また、シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。さらに、酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるＩｏＴを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。

　本講演では、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説します。

本セミナーは開催日が変更になりました。
9月17日（火）⇒10月2日（水）

セミナー詳細

開催日時

2024年09月17日(火) 10:30 ~ 17:30

開催場所

オンラインセミナー

カテゴリー

オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備

受講対象者

・大学、企業で半導体関係の技術的専門職に関わっている方
・酸化ガリウムデバイスの開発動向にご興味のある方

予備知識

・難解な数式や理論は本セミナーには出てきませんが、半導体材料やデバイスに関するごく基本的な言葉は前置きなく使用します。例えば、移動度、バンドギャップ、ショットキーバリアダイオード、ＭＯＳＦＥＴなどです
・ただし、デバイスの動作原理についても簡単に触れてから解説に入りますので、半導体電子デバイスについて予備知識が無くても理解いただけるように配慮いたします
・パワーデバイスの基本的なところから解説しますので、その点についての予備知識も必要ありません

修得知識

・デバイス開発に向けた酸化ガリウム材料のメリット、デメリット
・酸化ガリウムデバイスの各種応用について
・酸化ガリウムデバイスのデバイス作製技術について
・基板作製、エピ膜成長、デバイス開発の各種要素技術の開発
・酸化ガリウム研究開発の経緯と最先端の成果について

プログラム

１．パワーデバイスとそれを取り巻く背景

　　（１）．パワーデバイスの役割

　　（２）．なぜワイドバンドギャップ半導体？

　　（３）．パワーデバイスの世界市場予測

　　（４）．酸化ガリウムとその他パワーデバイス材料の比較

　　（５）．酸化ガリウムパワーデバイスの応用分野

　　（６）．酸化ガリウムのもう一つの可能性：極限環境デバイス

２．酸化ガリウムの材料特性

　　（１）．結晶多形

　　（２）．β－Ｇａ２Ｏ３の材料特性

　　（３）．不純物ドーピング

３．融液成長によるバルク単結晶育成技術

４．Ｆｌｏａｔｉｎｇ　Ｚｏｎｅ（ＦＺ）法

　　（１）．垂直ブリッジマン（ＶＢ）法

　　（２）．Czochralski（ＣＺ）法

　　（３）．Ｅｄｇｅ－ｄｅｆｉｎｅｄ　Ｆｉｌｍ－ｆｅｄ　Ｇｒｏｗｔｈ（ＥＦＧ）法

　　（４）．単結晶バルク育成の新しい試み　

　　　　ａ．［Oxide Crystal growth from Cold Crucible （OCCC）法］

５．エピタキシャル薄膜成長技術

　　（１）．分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法

　　（２）．ハライド気相成長（ＨＶＰＥ）法

　　（３）．有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法

　　（４）．ミスト化学気相成長（Ｍｉｓｔ　ＣＶＤ）法

６．デバイス作製プロセスと要素技術

　　（１）．イオン注入ドーピング

　　（２）．デルタドーピング

　　（３）．ドライ、ウェットエッチング

　　（４）．異種基板上貼り付け技術

７．パワーデバイス開発技術

　　（１）．ショットキーバリアダイオード（SBD）

　　　　ａ．耐圧とオン抵抗

　　　　ｂ．ショットキー障壁

　　　　ｃ．高耐圧化要素技術

　　　　　　・フィールドプレート構造

　　　　　　・ガードリング構造

　　　　　　・トレンチ構造

　　　　　　・ベベル構造

　　　　　　・ｐｎヘテロ接合構造

　　　　ｄ．ＳＢＤ報告例

　　（２）．酸化ガリウム電界効果トランジスタ（β－Ｇａ２Ｏ３ FET）

　　　　ａ．β－Ｇａ２Ｏ３FET 要素技術

　　　　　　・横型β－Ｇａ２Ｏ３ FET

　　　　　　・横型β－Ｇａ２Ｏ３ FET における基板/エピタキシャル膜界面リーク

　　　　　　・Ｇａ２Ｏ３／（ＡｌｘＧａ１－ｘ）２０３ヘテロ構造β－Ｇａ２Ｏ３ FET

　　　　　　・縦型β－Ｇａ２Ｏ３ FET

　　　　ｂ．高耐圧化技術

　　　　ｃ．ノーマリーオフ特性（エンハンスメントモード）

　　（３）．横型酸化ガリウム電界効果トランジスタ（横型 β－Ｇａ２Ｏ３ FET）

　　　　ａ．β－Ｇａ２Ｏ３ metal semiconductor FET（MESFET）

　　　　ｂ．β－Ｇａ２Ｏ３ FET のガンマ線耐性

　　　　ｃ．高周波 β－Ｇａ２Ｏ３ FET

　　　　ｄ．エンハンスメントモード

　　（４）．縦型酸化ガリウム電界効果トランジスタ（縦型 β－Ｇａ２Ｏ３ FET）

　　　　ａ．Current aperture vertical electron transistor（CAVET）

　　　　ｂ．トレンチ FET

　　　　ｃ．エンハンスメントモード

８．まとめ

　　（１）．２０１１年からこれまでの酸化ガリウム研究開発

　　（２）．これからの１０年間の開発動向とそのポイント

キーワード

酸化ガリウムデバイス　パワーデバイス　シリコンデバイス　移動度　バンドギャップ　ショットキーバリアダイオード　ＭＯＳＦＥＴ　エピタキシャル薄膜　デバイス作製プロセス

タグ

商品開発、パワーデバイス、基板・LSI設計、実装、電装品、LSI・半導体

受講料

一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込)

会場

オンラインセミナー

本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。