～ 半導体デバイスの技術動向と構造、製造プロセス、ドライエッチング・ウェットエッチングの基礎とプロセス技術、原子層エッチングの基礎と開発事例、エッチングのトラブル事例と対策 ～
・半導体の開発動向から半導体製造プロセスにおけるエッチングの最新技術までを修得するための講座
・繊細で緻密な加工が行えるエッチング技術を修得し、半導体製造のための小型かつ複雑な開発に活かそう！
・半導体の微細化に伴って近年開発が活発化している原子層エッチングについてもプロセス手法と開発事例を紹介します
・ＷＥＢ会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。
ＩｏＴ（モノのインターネット）やＡＩ（人工知能）の普及など、社会のデジタル化が進んでいます。このようなデジタル化を支える基盤技術の一つが半導体です。
半導体の製造工程では、成膜、フォトリソグラフィー、エッチングを繰り返して半導体ウェハ上にトランジスタや配線などを作製します。この中でエッチングの主な役割は、フォトリソグラフィーで形成した回路パターンを下地膜に転写することです。
本セミナーでは、ロジックやメモリデバイスを中心として半導体の開発動向とエッチングの課題を述べた後に、プラズマなどを用いるドライエッチング、および薬液を用いるウェットエッチングについて、反応メカニズムやエッチング速度などの基礎事項から、各種材料の具体的なエッチングケミストリまでを分かりやすく解説します。
また、半導体の微細化に伴って近年開発が活発化している原子層エッチングについて、代表的なプロセス手法と開発事例を紹介します。
| 開催日時 |
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|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備、研究開発・商品開発・ ビジネススキル |
| 受講対象者 |
・半導体デバイス、装置、材料の研究開発・生産製造に携わる方 ・半導体および関連企業の担当者 |
| 予備知識 | ・不要 |
| 修得知識 |
・半導体デバイスの技術動向 ・ドライエッチングの基礎と各種材料のドライエッチング技術 ・ウェットエッチングの基礎と各種材料のウェットエッチング技術 ・原子層エッチングの基礎と開発事例 |
| プログラム |
１．半導体デバイスの技術動向と構造、製造プロセス （１）．半導体デバイスの技術動向 （２）．半導体デバイスの構造と製造プロセス
２．半導体製造プロセスにおけるエッチング （１）．エッチングプロセスの種類 （２）．エッチングプロセスの課題
３．ドライエッチングの基礎とプロセス技術 （１）．ドライエッチングの装置とその歴史 （２）．ドライエッチングのプロセスとその歴史 （３）．ドライエッチング反応の基礎 （４）．ドライエッチングの速度、選択比およびダメージ （５）．各種材料のドライエッチング技術 ａ．Ｓｉ ｂ．ＳｉＯ２ ｃ．Ｓｉ３Ｎ４ ｄ．ＩｎＰ ｅ．ＧａＡｓ ｆ．ＧａＮ
４．ウェットエッチングの基礎とプロセス技術 （１）．ウェットエッチングの原理 （２）．エッチング液の構成 （３）．ウェットエッチングの速度、選択比および加工形状 （４）．各種材料のウェットエッチング技術 ａ．Ｓｉ ｂ．ＳｉＯ２ ｃ．Ｓｉ３Ｎ４ ｄ．ＩｎＰ ｅ．ＧａＡｓ ｆ．ＧａＮ
５．原子層エッチングの基礎と開発事例 （１）．原子層エッチングの基礎と分類 （２）．有機金属錯体反応を用いた等方性ＡＬＥ （３）．プラズマと熱サイクルを用いた等方性ＡＬＥ （４）．ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ＡＬＥ （５）．フルオロカーボンアシストを用いた異方性ＡＬＥ
６．実プロセスにおけるエッチングのトラブル事例と対策 （１）．光デバイスエッチングにおける凹凸発生 （２）．エッチング液組成の見直しによる平滑化
７．まとめ |
| キーワード | 導体 エッチング 微細化 半導体デバイス ドライエッチング ウェットエッチング 原子層エッチング エッチングプロセス Ｓｉ ＳｉＯ２ Ｓｉ３Ｎ４ ＩｎＰ ＧａＡｓ ＧａＮ 熱サイクル ハロゲン化 イオン照射 |
| タグ | 研究開発、商品開発、パワーデバイス、基板・LSI設計、実装、電子部品 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
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