• 2023年03月23日(木) 10:30 ~ 17:30

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）ならびにパワーデバイスの定義
　　（１）．パワエレとパワーデバイスの仕事・役割
　　（２）．パワーデバイスの主な適用製品と市場規模
　　（３）．パワーデバイスの種類と基本構造
　　（４）．パワーデバイスの適用分野
　　（５）．パワーデバイスの開発のポイント

２．シリコンパワーデバイスの進展
　　（１）．パワーデバイス市場の現在と将来
　　（２）．ＭＯＳＦＥＴとＩＧＢＴの構造の違い
　　（４）．トレンチフィールドプレート構造、ＳＪ－ＭＯＳＦＥＴ構造
　　（５）．シリコンＩＧＢＴ特性改善を支える技術
　　（６）．薄ウェハ化の限界による次世代技術の開発
　　（７）．シリコンＩＧＢＴ実装技術

３．ＳｉＣパワーデバイス技術と製品応用・例
　　（１）．半導体デバイス材料の変遷
　　（２）．ワイドバンドギャップ半導体とＳｉＣ
　　（３）．ＳｉＣ／ＧａＮのシリコンに対する利点
　　（４）．ＳｉＣならびにＧａＮデバイス構造
　　（５）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのＳｉ－ＩＧＢＴに対する勝ち筋
　　（６）．ＳｉＣパワーデバイス実用化の４つの課題
　　（７）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのコスト構成解析例
　　（８）．最新ＳｉＣパワーデバイス技術
　　（９）．内蔵ダイオード信頼性対策技術
　　（１０）．将来のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ構造（ＳＪ－ＭＯＳＦＥＴ）

４．ＧａＮパワーデバイスの現状と製品応用
　　（１）．主流となるデバイス構造とその理由
　　（２）．ＧａＮ－ＨＥＭＴデバイスの特徴
　　（３）．ＧａＮ－ＨＥＭＴのノーマリ－オフ化
　　（４）．ＧａＮパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　　（５）．縦型ＧａＮデバイスのへの挑戦
　　（６）．縦型ＧａＮに対するＳｉＣの優位性

５．高温対応実装技術
　　（１）．ＩＧＢＴモジュール動作中の素子破壊事例
　　（２）．ＩＧＢＴモジュールのスイッチング波形
　　（３）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール用パッケージ
　　（４）．パワーサイクル試験による寿命比較
　　（５）．モジュール構成材料の熱伝導率
　　（６）．銀または同焼結接合技術
　　（７）．主なＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ開発企業と今後の展開

６．まとめ

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