～ SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用、SBD、MOSFETの現状とシステム応用、バルク結晶成長とウェハの加工プロセス、SiC単結晶ウェハの電気特性制御と高品質化 ～
・ＥＶ向けの本格量産が始まるＳｉＣパワー半導体の最新技術を修得し、製品へ応用するための講座
・SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼性化、低コスト化技術を結晶物性から体系的に修得し、高性能な製品開発へ応用しよう！
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現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H‐SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H‐SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属‐酸化膜‐半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
| 開催日時 |
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|---|---|
| 開催場所 | オンラインセミナー |
| カテゴリー | オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 |
・半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者の方 ・電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者の方 |
| 予備知識 | ・半導体の基礎知識があると理解しやすい |
| 修得知識 |
・SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況 ・SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況 |
| プログラム |
第１部 SiCパワー半導体開発の現状 １． SiCパワー半導体開発の背景 ２．SiCパワー半導体開発の歴史 ３．SiCパワー半導体開発の現状と動向 ４．SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用 ５．SiCパワーデバイスの最近の進展 第２部 SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望 ６．SiC単結晶のバルク結晶成長 ７．SiC単結晶ウェハの加工技術 ８．SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術 第３部 SiC単結晶ウェハ製造の技術課題 ９．SiC単結晶のポリタイプ制御 １０．SiC単結晶中の拡張欠陥 １１．SiC単結晶のウェハ加工 １２．SiCエピタキシャル薄膜成長 １３．SiC単結晶ウェハの電気特性制御 １４．SiC単結晶ウェハの高品質化 １５．まとめ、Q＆A |
| キーワード |
SiCパワー半導体 SiC単結晶成長 エピタキシャル成長 SBD MOSFET バルク結晶 昇華再結晶法 溶液成長法 高温CVD法 ポリタイプ制御 エピタキシャル薄膜 拡張欠陥 ウェハ加工 マイクロパイプ欠陥 貫通転位 基底面転位 |
| タグ | パワーデバイス、薄膜、電子部品、LSI・半導体 |
| 受講料 |
一般 (1名)：49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：44,000円(税込) |
| 会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
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