• 2019年07月10日(水) 10:30 ~ 17:30

１．パワーエレクトロニクスの基礎
　　（１）．パワーエレクトロニクスとパワーデバイスの違い
　　（２）．パワー半導体の種類と基本構造
　　　　ａ．バイポーラデバイス
　　　　ｂ．ユニポーラデバイス
　　（３）．パワーデバイスの適用例及び主要デバイス
　　（４）．パワーデバイスの要求特性
　　（５）．次世代パワーデバイス開発の位置づけ
　　　・装置小型化の実現について
　　（６）．パワー半導体で発生する損失
　　（７）．主なパワーデバイスと制御回路
　　（８）．ＭＯＳＦＥＴの電流―電圧特性

２．最新シリコンIGBTの進展と課題
　　（１）．パワー半導体（ＩＧＢＴ）の構造
　　（２）．パワー半導体デバイスの世界市場
　　　　ａ．市場からの要求
　　　　ｂ． MOSFETとＩＧＢＴの違いと動作上の特徴
　　（３）．IGBT特性改善を支える技術
　　（４）．薄ウェハ化の限界とそのプロセスの工夫
　　（５）．最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT
　　（６）．新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発

３．SiCパワーデバイスの特性と最新技術
　　（１）．各材料の主要物理定数比較
　　（２）．ＳｉＣのＳｉに対する利点（ＳＢＤの場合）
　　（３）．ＳｉＣが期待される対象領域
　　（４）．ＳｉＣ-MOSFETとSiCIGBTの特性比較
　　（５）．SiCが注目されている理由
　　（６）．SiCが搭載されている製品事例
　　（７）．SiC-MOSFETの問題：寄生ダイオードのVf劣化とその解決策
　　（８）．高温動作ができると何が良いのか？
　　（９）．パワーデバイス動作中の素子破壊事例
　　（１０）．SiCトレンチMOSFETの最新設計技術

４．高温対応実装技術
　　（１）．シリコンIGBTモジュールの内部構造
　　（２）．シリコンIGBTモジュール動作中の素子破壊例
　　（３）．新型All SiC-MOSFETモジュール用パッケージ

５． GaNパワーデバイスの最新技術と今後
　　（１）．なぜGaNが注目されているのか
　　（２）．SiCとGaNデバイスの得意分野と不得意分野
　　（３）．GaN-HEMTデバイスの特徴
　　（４）．最近のGaNパワーデバイス開発状況
　　（５）．GaN-HEMTの問題：ノーマリ－オン特性
　　（６）．縦型GaNデバイス実現に向けて
　　（７）．酸化ガリウムパワーデバイスの動向

日本テクノセンター研修室