• 2015年05月12日(火) 10:30 ～ 17:30

１． 3D（三次元）実装技術の基礎と各種3D実装技術例
　　（１）. 3D（三次元）実装技術の基礎と実装効率
　　（２）. 各種3D（三次元）実装技術
　　　　　a．COC（Chip on Chip）による3D実装技術
　　　　　b．POP（Package on Package）による3D実装技術
　　　　　c．MOM（MCM on MCM）による3D実装技術
　　　　　d．WOW（Wafer on Wafer）による3D実装技術
　　　　　e．EPD/EAD（Embedded Passive and Active Devices）による埋め込み3D実装技術

２． 2.5D/2.1D実装対応インタ−ポ−ザ技術へのアプロ−チ(開発の背景)

３． 2.5D実装に最適なPassive Interposer技術の最新開発状況
　　（１）. TSV付きPassive Si-Interposer with RDL & IPDプロセスとその特性
　　　　　a． TSV形成プロセスとその特性
　　　　　b． RDL形成プロセスとその電気特性
　　　　　c． IPD（R、C、L：Integrated Passive Device）形成プロセスとその電気特性
　　（２）. TSV付きPassive Si-Interposerの電気信号伝搬特性
　　　　　a． RDL(Cu/BCB再配線層)の電気信号伝搬特性
　　　　　b． BCB-viaとTSVの電気信号伝搬特性　
　　　　　c． TSVの電気信号伝搬特性とその改善　
　　　　　d． Cu/BCB(RDL) on Passive Si-Interposer with TSV and RDLの電気信号伝搬特性
　　（３）. Xilinxでの2.5D Si-Interposer(SSI技術)の量産事例
　　（４）. 更なる低コスト化を達成するガラスインタ−ポ−ザの開発
　　　　　a． ガラスインタ−ポ−ザ開発の背景（更なる低コスト化と電気信号伝搬特性改善）
　　　　　b． ガラスインタ−ポ−ザ形成プロセス
　　　　　c． ガラスインタ−ポ−ザの電気信号伝送特性　　

４． 2.1D実装対応配線板の開発
　　（１）. 各社の2.1D実装対応高密度微細配線技術開発
　　（２）. 次世代 ”B2itTM” (Buried Bump Interconnection Technology)
　　　　　a． 開発コンセプトとその特徴
　　　　　b． ビルドアップ配線板 ”B2itTM” の問題点
　　　　　c． 2.1D実装対応次世代 ”B2itTM” 配線板開発コンセプトとその特徴　
　　（３）. 次世代 ”B2itTM” プロセスと断面構造ならびに信頼性特性と絶縁材料特性
　　　　　a． プロセスならびに断面構造・写真
　　　　　b． 層間接続抵抗の熱履歴による変化とプロセス依存性
　　　　　c． 次世代 ”B2itTM” 配線板の絶縁層材料の特性 　　
　　（４）. 次世代 ”B2itTM” の層間接続抵抗評価結果と電気信号伝送特性
　　　　　a． 層間接続抵抗評価結果
　　　　　b． 電気信号伝送特性評価結果
　　（５）. コアレス高密度・極薄・高多層配線板への次世代 ”B2itTM” 技術の応用展開
　　　　　a． プロセスと特徴
　　　　　b． バンプ層間接続抵抗と接合メカニズムと特性