１． 半導体の基本構造と製造プロセス

（１）．生成AI時代の半導体産業の現状

a. 半導体産業の歴史観

　　　b. 分野別市場と日本の競争優位性　　

（２）．半導体の構造

a. 現在の半導体の基礎構造であるCMOSとは何か

b. トランジスタ構造の変化と多層配線、高密度実装

c. 生成ＡＩ時代の先端半導体の定義と構造

（３）．半導体の設計と製造方法

（４）．前工程と後工程とは何か：その付加価値の変化

２． 微細化と３次元化技術

（１）．微細化とは何か

a. なぜ微細化が必要とされるのか

b. 先端露光技術とそのプロセス：ＡｒＦ液浸露光技術からＥＵＶ（極紫外線）露光技術

c. それを支える様々な技術

（２）．３次元化とは何か

a. なぜ３次元化が必要とされるのか：その歴史観

b. ３つの形態の明確化と必要性

トランジスタの３次元化、チップの３次元化、パッケージの３次元化

c. ３次元化に向けた半導体設計技術

d. チップの３次元化の意義と効果

・配線のRC遅延抑制

・新しい付加価値の創造

３． ３次元積層技術とその応用

（１）．３次元積層技術の応用

a. ３次元メモリ積層技術　(３D-NANDフラッシュメモリ, ３D-DRAM：HBM)

b. ３次元イメージセンサー

c. ３次元プロセッサー（ＧＰＵ，ＭＰＵなど）

d. その他

（２）．３次元積層の分類

（３）．３次元積層のための設計技術

（４）．３次元積層プロセスとその特徴

a. 半田バンプ接合

b. Cu-Cu 接合

c. Fusion 接合

d. Hybrid 接合

（５）．３次元積層方法とその装置：分類と処理能力、接合精度およびその革新性

a. D2D (Die-to-Die)
b. D2W (Die-to-Wafer)

c. W2W (Wafer-to-Wafer)

４． ３次元半導体と積層技術の今後、先端半導体の将来展開

（１）．最新の積層技術　(ECTC, IEDM等の国際会議からの例証考察)

（２）．特許情報からみる最新の動向解析

（３）．生成AI時代から将来に向けた展開、その半導体