• 2024年04月15日(月) 10:30 ~ 17:30

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）ならびにパワーデバイスの定義
　　（１）．パワエレとパワーデバイスの仕事・役割
　　（２）．パワーデバイスの主な適用製品と市場規模
　　（３）．パワーデバイスの種類と基本構造
　　（４）．パワーデバイスの開発のポイント

２．シリコンパワーデバイスの進展
　　（１）．パワーデバイス市場の現在と将来
　　（２）．最新シリコンパワーデバイス構造
　　（３）．次世代シリコンＩＧＢＴを支える三つの技術
　　
３．ＳｉＣパワーデバイス技術と製品応用・例
　　（１）．半導体デバイス材料の変遷
　　（２）．なぜＳｉＣがワイドバンドギャップ半導体のなかでトップランナーなのか
　　（３）．ＳｉＣ／ＧａＮのシリコンに対する利点
　　（４）．ＳｉＣならびにＧａＮデバイス構造
　　（５）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのＳｉ－ＩＧＢＴに対する勝ち筋
　　（６）．ＳｉＣパワーデバイス実用化の４つの課題
　　（７）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのコスト構成解析例
　　（８）．ＳｉＣを「切る」、「削る」に新技術
　　（９）．ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ低オン抵抗化が低コスト化につながるわけ
　　（１０）．ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴデバイス技術
　　（１１）．内蔵ダイオード信頼性対策技術（高信頼性特性の実現）
　　（１２）．将来のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ構造

４．ＧａＮパワーデバイスの現状と製品応用
　　（１）．ＳｉＣとＧａＮデバイス構造比較
　　（２）．ＧａＮは横型ＨＥＭＴデバイスが主流、その理由は
　　（３）．ＧａＮ－ＨＥＭＴデバイスの特徴
　　（４）．ノーマリーオフ特性はなぜ重要か？
　　（５）．ＧａＮ－ＨＥＭＴのノーマリ－オフ化の進展
　　（６）．ＧａＮはパワーＩＣ化へ
　　（７）．縦型ＧａＮデバイスのへの挑戦
　　（８）．縦型ＧａＮ．ｖｓ．縦型ＳｉＣ競争の行方

５．酸化ガリウムパワーデバイスの特徴と製品開発
　　（１）酸化ガリウムの特徴
　　（２）酸化ガリウムパワーデバイスの魅力
　　（３）酸化ガリウムパワーデバイスの最新開発状況
　　（４）酸化ガリウムパワーデバイスの課題

６．高温環境で対応するための実装技術
　　（１）．ＳｉＣパワーデバイスは特性がよすぎて使いにくい？
　　（２）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのスイッチング波形
　　（３）．実装技術が解決のキーポイント
　　（４）．モジュール構成材料の熱伝導率
　　（５）．銀または同焼結接合技術
　　（６）．主なＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ開発企業と今後の展開

７．まとめ

日本テクノセンター研修室