SiC/GaNパワーデバイスの基礎と高温対応実装技術への応用 <オンラインセミナー>

~ SiC/GaNパワーデバイスの実用化に向けて高温環境で対応させるための技術、SiC-MOSFETモジュール用パッケージ ~

・SiC/GaNの材料特性を最大限に引き出す実装技術について修得する講座
・パワーデバイスについて知見の深い講師から、SiC/GaNを実装するための最新技術について修得出来るセミナー!

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講師の言葉

 現在、中・高耐圧領域で最強のパワー半導体デバイスであるシリコンIGBTがハイブリッド自動車(HV)や電気自動車(EV)のインバータシステムに用いられている。そして最近ではようやくSiC-MOSFETが搭載されるようになってきた。SiCやGaNは、その材料物性上の優位性により、電力密度向上さらには冷却系小型・簡略化が可能で、システムの大幅な小型、低コスト化が期待できるためその普及が大いに期待されている。
 しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然として主役として活躍している。さらに、SiC/GaN材料特性のポテンシャルを十分に引き出す出すための実装技術も、その製品化/普及には極めて重要である。本講演では、パワーデバイスの基礎から解説し、SiC/GaNパワーデバイスの基礎ならびに最新技術、さらには最新の実装技術についてわかりやすく解説する。

セミナー詳細

開催日時
  • 2020年06月12日(金) 10:30 ~ 17:30
開催場所 オンラインセミナー
カテゴリー オンラインセミナー電気・機械・メカトロ・設備
受講対象者 ・SiC/GaNパワーデバイスの実装技術について学びたい方
・パワエレ製品の設計・開発技術者の方
・自動車、家電、航空、船舶、電気・電子その他関連企業の方
予備知識 ・大学卒業程度の電気工学の知識
修得知識 ・パワーデバイスの基礎ならびに最新技術について修得出来る
・SiC/GaNパワーデバイスの特長について理解出来る
・SiCデバイスの実装技術について修得できる。
・SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術を修得出来る
プログラム

1.パワー半導体デバイスとは
  (1).パワエレならびにパワー半導体デバイスの仕事
  (2).パワー半導体デバイスの種類と基本構造
  (3).パワー半導体デバイスの適用分野
  (4).パワー半導体デバイスの開発のポイント

2.SiCパワーデバイスの現状と課題
  (1).半導体デバイス材料の変遷
  (2).ワイドバンドギャップ半導体とは?
  (3).SiC/GaNのシリコンに対する利点
  (4).各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
  (5).SiCパワーデバイス実用化の4つの課題
  (6).最新SiCパワーデバイス技術

3.GaNパワーデバイスの現状と課題
  (1).なぜGaNパワーデバイスなのか?
  (2).GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流
      なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
  (3).GaN-HEMTデバイスの特徴
  (4).GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
  (5).GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
  (6).縦型GaNデバイスのへの挑戦

4.高温対応実装技術
  (1).高温動作ができるメリット
  (2).パワーデバイス動作中の素子破壊事例
  (3).SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
  (4).ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

5.まとめ

キーワード SiC GaN パワーデバイス パワーエレクトロニクス パワエレ EV 自動車 車載 部品 実装 高温 信頼性 パッケージ SiC-MOSFET ワイドバンドギャップ 半導体
タグ パワーデバイス電気LSI・半導体
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
オンラインセミナー
Web会議システムを使用してオンラインセミナーとして開催します
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