~ SiC/GaNパワーデバイスの実用化に向けて高温環境で対応させるための技術、SiC-MOSFETモジュール用パッケージ ~
・SiC/GaNの材料特性を最大限に引き出す実装技術について修得する講座
・パワーデバイスについて知見の深い講師から、SiC/GaNを実装するための最新技術について修得出来るセミナー!
・WEB会議システムの使い方がご不明の方は弊社でご説明いたしますのでお気軽にご相談ください。
~ SiC/GaNパワーデバイスの実用化に向けて高温環境で対応させるための技術、SiC-MOSFETモジュール用パッケージ ~
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現在、中・高耐圧領域で最強のパワー半導体デバイスであるシリコンIGBTがハイブリッド自動車(HV)や電気自動車(EV)のインバータシステムに用いられている。そして最近ではようやくSiC-MOSFETが搭載されるようになってきた。SiCやGaNは、その材料物性上の優位性により、電力密度向上さらには冷却系小型・簡略化が可能で、システムの大幅な小型、低コスト化が期待できるためその普及が大いに期待されている。
しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えず、シリコンIGBTが依然として主役として活躍している。さらに、SiC/GaN材料特性のポテンシャルを十分に引き出す出すための実装技術も、その製品化/普及には極めて重要である。本講演では、パワーデバイスの基礎から解説し、SiC/GaNパワーデバイスの基礎ならびに最新技術、さらには最新の実装技術についてわかりやすく解説する。
開催日時 |
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開催場所 | オンラインセミナー |
カテゴリー | オンラインセミナー、電気・機械・メカトロ・設備 |
受講対象者 |
・SiC/GaNパワーデバイスの実装技術について学びたい方 ・パワエレ製品の設計・開発技術者の方 ・自動車、家電、航空、船舶、電気・電子その他関連企業の方 |
予備知識 | ・大学卒業程度の電気工学の知識 |
修得知識 |
・パワーデバイスの基礎ならびに最新技術について修得出来る ・SiC/GaNパワーデバイスの特長について理解出来る ・SiCデバイスの実装技術について修得できる。 ・SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術を修得出来る |
プログラム |
1.パワー半導体デバイスとは 2.SiCパワーデバイスの現状と課題 3.GaNパワーデバイスの現状と課題 4.高温対応実装技術 5.まとめ |
キーワード | SiC GaN パワーデバイス パワーエレクトロニクス パワエレ EV 自動車 車載 部品 実装 高温 信頼性 パッケージ SiC-MOSFET ワイドバンドギャップ 半導体 |
タグ | パワーデバイス、電気、LSI・半導体 |
受講料 |
一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込) |
会場 |
オンラインセミナー本セミナーは、Web会議システムを使用したオンラインセミナーとして開催します。 |
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営業時間 月~金:9:00~17:00 / 定休日:土日・祝日