~ リソグラフィプロセスの基礎、レジスト材料の特性、先端リソグラフィ技術、乾燥むら・膜はがれ・変形などトラブル発生メカニズムとその対策、レジストパターンの実測手法 ~
・実務経験に基づく講師の解説を含め、フォトリソグラフィの基礎から、トラブル対策、最適化法、ノウハウ相談まで行う講座!
・各種トラブルの評価・解決のアプローチを学び、生産性向上や歩留まり向上、問題解決に活かそう!
~ リソグラフィプロセスの基礎、レジスト材料の特性、先端リソグラフィ技術、乾燥むら・膜はがれ・変形などトラブル発生メカニズムとその対策、レジストパターンの実測手法 ~
・実務経験に基づく講師の解説を含め、フォトリソグラフィの基礎から、トラブル対策、最適化法、ノウハウ相談まで行う講座!
・各種トラブルの評価・解決のアプローチを学び、生産性向上や歩留まり向上、問題解決に活かそう!
現在、フォトレジストは、産業の様々な分野で広く利用されています。しかし、その高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、フォトレジストユーザーの要求も幅広くなり、フォトレジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィでトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例を交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料メーカーおよび装置メーカーにおいても、デバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。
開催日時 |
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開催場所 | 日本テクノセンター研修室 |
カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
受講対象者 |
・ディスプレイ、基板、半導体デバイス、光素子、端末機器、太陽電池、電装品など ・初めてレジスト材料を扱う方、レジストを使用して製品を生産する方、レジスト分野の技術指導をする方など、初心者から実務者まで広範囲の方を対象としています。 |
予備知識 | ・リソグラフィに関心がある方であれば、特に必要ありません |
修得知識 | ・レジストを使用する上での基本的な考え方、ノウハウ、最適化法、トラブル対処法、などが習得できます |
プログラム |
1.レジスト・リソグラフィ入門 ~これだけは習得しておきたい~ (1).リソグラフィプロセスの基礎 ・プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型、ネガ型レジスト、光化学反応メカニズム、パターン現像、露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度、重ね合わせ技術 (2).レジストコントラストで制御する ・光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善 (3).エッチングマスクとしてのレジストパターン ・プラズマとは、等方性と異方性エッチング、RIE、エッチング残差、ローディング効果、選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透性 (4).レジストコーティング方式の最適化 ・粘度、スピンコート、ストリーエーション、エッジむら対策、スキャンコート、スプレーコート、減圧ベーク、乾燥むら、インクジェットコート (5).ソルダーレジスト技術 ・5G対応プリント基板対応、耐はんだ性、スクリーン印刷 (6).ダブル/マルチパターニング技術 ・k1<0.25の実現、LELE型、スペーサ/サイドウォール型 (7).先端リソグラフィ技術 ・EUV、位相シフトマスク、多層レジストプロセス、液浸リソグラフィ、厚膜レジスト、光造形、ナノインプリント (8).プロセスシミュレーション ・ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析
2.レジストトラブルの発生メカニズムと対策 ~最短でのトラブル解決のために~ (1).レジスト付着性の促進および低下要因とは ・表面エネルギー、凝集力、応力緩和、応力集中、溶液浸透、検査用パターン (2).表面エネルギーからレジスト付着性が予測できる ・濡れ性、Youngの式、表面エネルギー、分散と極性、Young Dupreの式、付着エネルギーWa、拡張係数S、円モデル、付着性と密着性の差、極性成分γp効果 (3).過剰なHMDS処理はレジスト膜の付着性を低下させる ・最適な処理温度と処理時間、装置設計 (4).パターン凸部は凹部よりも剥離しやすい ・アンダーカット形状、応力解析、応力集中効果、熱応力、表面硬化層の影響 (5).レジスト膜の膨潤を計測する ・アルカリ液の浸透、クラウジウス・モソティの式、屈折率評価、導電性解析 (6).レジスト膜の欠陥発生メカニズムと対策 ・乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ (7).ドライフィルムレジスト(DFR)の付着性 ・メッキ時のEaves不良、バブル対策 (8).レジスト膜表面の微小気泡対策 ・気泡のピンニング効果、エネルギー安定性解析 (9).パターンの熱変形対策 ・樹脂の軟化点、パターン形状依存性、体積効果
3.レジスト材料プロセスの高品位化 ~高付加価値のレジストを目指す~ (1).レジストパターン1個の付着力を実測する ・DPAT法、計測感度、ナノサイズの付着力の実験式、ヤング率測定 (2).レジスト平坦性 ・平坦化の要因、計測評価法 (3).レジスト膜の超薄膜化 ・シングルナノ膜厚の形成 (4).レジスト除去技術 ・ドライ、ウェット、残渣除去
4.質疑応答 (研究開発、トラブル対策に個別相談に応じます) |
キーワード | リソグラフィ フォトレジスト パターン断面形状改善 エッジむら対策 EUV 液浸リソグラフィ レジスト膜 レジスト付着性 濡れ性 ヤング式 乾燥むら ピンホール 回路 基盤 |
タグ | 電子部品、LSI・半導体 |
受講料 |
一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込) |
会場 |
日本テクノセンター研修室〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビルディング(22階)- JR「新宿駅」西口から徒歩10分 - 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分 - 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分 電話番号 : 03-5322-5888 FAX : 03-5322-5666 |
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