• 2018年05月29日(火) 10:30 ～ 17:30

１．各種LEDの技術動向
　　（１）．赤外LEDの技術動向
　　（２）．GaN系LED（InGaN、AlGaN）の技術動向
　　（３）．VCSELの技術動向

２．LED、VCSELの基本特性と寿命試験
　　（１）．基本特性　
　　（２）．寿命試験
　　　　ａ．通電試験（スクリーニング、実装後のランニング試験）
　　　　ｂ．温度加速試験（寿命予測）
　　　　ｃ．大電流通電試験(動作限界の把握、定格電流の提示)
　　　　ｄ．ESD試験

３．LED、VCSELの故障（劣化）解析技術
　　（１）．外観検査技術
　　　　ａ．光学顕微鏡
　　　　ｂ．走査型電子顕微鏡(SEM)
　　（２）．内部解析技術
　　　　ａ．電気的評価（断面EBIC）
　　　　ｂ．光学的評価（PL、 CL、 EBIC）
　　　　ｃ．結晶学的評価（エッチング、X線トポグラフ、TEM）
　　　　ｄ．化学組成評価（SEM/EDX、TEM/EDX、オージェ分析）
　　（３）．故障解析のフローチャート

４．発光デバイス材料の問題点
　　（１）．結晶欠陥の発生と抑制方法： 界面欠陥、バルク欠陥
　　（２）．熱的安定性：　組成変調構造、秩序構造（自然超格子）

５．赤外LED（?-?族化合物半導体）の故障（劣化）解析事例
　　（１）．半導体発光デバイスの故障モード
　　（２）．急速劣化の解析事例
　　（３）．遅い劣化の解析事例　
　　（４）．衝撃劣化の解析事例
　　（５）．頓死モードについて

６．GaN系LD、LEDの信頼性
　　（１）．材料の課題
　　（２）．信頼性と劣化メカニズム：InGaN系、AlGaN系

７．VCSELの信頼性
　　（１）．VCSELの弱点とは？： その開発上の材料の課題
　　（２）．VCSELの劣化メカニズム
　　　　ａ．これまでに得られた知見の整理
　　　　ｂ．未解決な点
　　　　ｃ．今後の高性能化に伴う新たな劣化モードの予想
　　（３）．VCSELチップの信頼性向上のポイント
　　（４）．VCSELを搭載したモジュールの信頼性向上のポイント

８．劣化低減への方策：メーカの取り組み方

ドム会議室（小林ビル２F）