• 2017年07月12日(水) 10:30 ～ 17:30

第一部

１．パワーエレクトロニクスの基礎
　　（１）．パワーデバイスの仕事
　　（２）．どんな用途に何が使われているのか？
　　（３）．パワーデバイスに要求される特性は何？
　　（４）．次世代パワーデバイス開発の位置づけ
　　（５）．最新Si-IGBT、SJ-MOSFET技術と今後の動向

２．SiCパワーデバイスの最新技術と課題
　　（１）．なぜSiCが注目されているのか？
　　（２）．高温動作ができると何が良いのか？
　　（３）．最近のSiCパワーデバイス開発技術
　　（４）．SiC-MOSFETの問題：MOSFETのしきい値変動と寄生ﾀﾞｲｵｰﾄﾞのVf劣化
　　（５）．SiCﾄﾚﾝﾁMOSFETの最新設計技術

３．高温対応実装技術
　　（１）．シリコンIGBTモジュールの内部構造
　　（２）．シリコンIGBTモジュール動作中の素子破壊例
　　（３）．新型All SiC-MOSFETモジュール用パッケージ

４． GaNパワーデバイスの最新技術と課題
　　（１）．なぜGaNが注目されているのか
　　（２）．SiCならびにGaNデバイスの構造の違い
　　（３）．GaN-HEMTデバイスの特徴
　　（４）．最近のGaNパワーデバイス開発技術
　　（５）．GaN-HEMTの問題：ノーマリ−オン特性
　　（６）．ノーマリ−オフ化への取り組み

第二部　　パワーデバイスの劣化メカニズムと高信頼化技術

１．パワーデバイスの応用：どのようなアプリケーションで使われ、要求される信頼性は？
　　（１）．パワーデバイスの機能とトポロジー
　　（２）．アプリケーション応用事例
　　（３）．パワーデバイスへの要求事項

２．現行パワーデバイスの劣化：高温使用によるストレスとは？
　　（１）．チップ接合及びボンディングの接合への影響
　　（２）．DCBサブストレートとベースプレートの接合への影響
　　（３）．サーマルインターフェースマテリアル（ＴＩＭ）の影響
　　（４）．スイッチングによるストレイインダクタンスの影響

３．IGBTモジュールの信頼性とトレンド：高温、高速に向けたアプローチとは？
　　（１）．アセンブリーテクノロジー
　　（２）．パッケージテクノロジー
　　（３）．チップテクノロジー
　　（４）．サーマルインターフェイスマテリアＴＩＭ塗布による熱抵抗の改善

４．ＳｉＣデバイスの信頼性とトレンド：どのようなアプリケーションから広がっていくのか？
　　（１）．ＭＰＳダイオードの特性改善
　　（２）．MOSFETのスイッチング特性
　　（３）．MOSFETの信頼性と課題
　　（４）．アプリケーションインパクト

日本テクノセンター研修室