〜SiC製MOSFET、SBDの特性、モータ駆動、パワーサプライ、鉄道車両装置、電力変換器への応用、SiC、GaNの類似点と相違点〜
・実際の事例をもとにSiCを適用するうえでの注意点や特性の活かし方を修得できる講座!
・低損失かつ高速動作であるSiCパワーデバイスの特徴を十分に活かした有効活用のノウハウを事例から学ぶための特別セミナー!
〜SiC製MOSFET、SBDの特性、モータ駆動、パワーサプライ、鉄道車両装置、電力変換器への応用、SiC、GaNの類似点と相違点〜
・実際の事例をもとにSiCを適用するうえでの注意点や特性の活かし方を修得できる講座!
・低損失かつ高速動作であるSiCパワーデバイスの特徴を十分に活かした有効活用のノウハウを事例から学ぶための特別セミナー!
第一部
現在パワー半導体の主流となっているSi製のIGBTは、実用化から25年以上経過し、性能が限界に近づいてきている。これにともない、パワエレ装置も性能、大きさ、重さ、効率などで進歩がゆるやかになりつつある。このような背景のもと、Siよりもバンドギャップ広い材料を用いたパワー半導体の研究開発が進み、ワイドバンドギャップ材料の一つであるSiCを用いたパワー半導体の実用化が始まっている。
本セミナーでは、実用化が進む1000V級、3300VのSiC製MOSFET、SBD(ショットキーバリアダイオード)への取り組みとその特性、そして、これらパワー半導体を適用したモータ駆動装置、パワーサプライ装置、鉄道車両装置などのパワエレ装置の現状について紹介する。
本セミナーを受講することで、最新のSiCパワー半導体・パワエレ装置の現状を把握するとともに、SiCを適用するうえでの注意点や特性の活かし方などについても理解できるようにする。
第二部
近年、SiCやGaNなどの次世代新材料パワー半導体が注目されています。低損失かつ高速動作と、高性能なデバイスです。従来の技術ではデバイスの性能を活かしきれないため、進化した周辺技術や周辺材料の開発が必要になってきています。また、高速スイッチングであるが故に、使いこなしの技術開発が重要です。
次世代パワー半導体デバイスの特徴を理解し、この性能を十分に活かすために何が必要かを議論したいと思います。
第三部
Siの限界を超えるとして、頻りにその明るい未来が喧伝されるSiCとGaNであるが、並列的に取り上げられることが多く、根拠に乏しい記事が実に多い。ウェブ上に溢れる、SiCとGaN関係の情報を読んでも、その違いや特長、一体何をもたらしてくれるのかが、わからないことが多いと推察される。
本講義では、SiCとGaNの似ているところ、違うところを解説し、SiCとGaNに共通するSiに対する優位点と、それぞれで異なる得意なことを明らかにする。また、両材料デバイスの基本的な相違から、応用の方向性が自ずと変わってくるはずであること、その応用としては何が考えられるかについて述べる。
開催日時 |
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開催場所 | 日本テクノセンター研修室 |
カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
受講対象者 | ・新材料パワー半導体応用技術、周辺部品技術に興味のある方 ・パワー回路に携わり、SiCやGaNの適用に興味がある技術者 ・変換器の高性能化に興味のある方 ・パワエレ装置の開発・設計者で、今後SiC適用を考えている方 ・数100W〜数10kW程度の変換器の開発、設計、評価に係わっている方、興味のある方 |
予備知識 | ・PWM制御変換器の動作やパワエレの基本的な知識があると理解しやすい |
修得知識 | ・新材料パワー半導体の現状、現状デバイスと比較した性能比較 ・ユーザーからみた変換器の付加価値と、デバイス特徴を活かす変換器技術 ・新材料パワーデバイス、SiCとGaNの特長と違い ・それぞれの材料の得意なこと、不得意なこと ・最新のSiCパワー半導体・パワエレ装置の現状の把握 ・SiCを適用するうえでの注意点や特性の活かし方 |
プログラム |
第一部 SiCパワー半導体と適用パワエレ装置の開発事例 2.SiCパワー半導体の現状 3.SiCパワー半導体適用パワエレ装置の現状 第二部 SiCパワーデバイスを用いたインバータ開発とその応用 2.変換器の高性能化 3.パワー半導体デバイスからみた電力変換器のバリエーション 4.新材料パワー半導体の種類と特徴 5.SiCパワー半導体デバイスを用いた変換器開発事例 第三部 SiC・GaNパワーデバイスとその特長を活かす応用分野 2.SiCデバイスの開発方向性 3.GaNデバイスの開発方向性 4.SiC/GaNに共通する課題 |
キーワード | SiCパワー半導体 パワエレ装置 電力変換器 高周波スイッチング GaNデバイス |
タグ | エネルギー、エネルギーマネジメントシステム、パワーデバイス、回路設計、基板・LSI設計、系統連系、自動車・輸送機、車載機器・部品、電源・インバータ・コンバータ、電子機器、電子部品、電装品、LSI・半導体 |
受講料 |
一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込) |
会場 |
日本テクノセンター研修室〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビルディング(22階)- JR「新宿駅」西口から徒歩10分 - 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分 - 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分 電話番号 : 03-5322-5888 FAX : 03-5322-5666 |
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営業時間 月~金:9:00~17:00 / 定休日:土日・祝日