次世代パワー半導体　〜省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線〜

■概要

■概要


★ ポストSiのSiC、GaN、ダイヤモンド半導体の材料研究、パワーデバイスの開発事例を解説。
★ 次世代パワーデバイスの市場動向、各産業界への応用展望を紹介。

■主な目次と執筆者数

序論　次世代パワー半導体の技術戦略と実用化に向けた展望
　
第１編　次世代パワー半導体の研究開発動向
　際１章　SiCパワー半導体
　第２章　GaNパワー半導体
　第３章　ダイヤモンドパワー半導体
　
第２編　パワーデバイス開発の最前線
　第１章　SiCパワーデバイスの研究開発
　第２章　GaNパワーデバイスの研究開発
　第３章　ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発
　第４章　パワーデバイスの実装技術の研究動向
　
第３編　次世代パワーデバイスの本格導入を見据えた各界の動向
　第１章　省エネ革命の主要デバイスとして注目される次世代パワー半導体
　第２章　パワーデバイス技術革新がもたらす産業界へのインパクト
【執筆者】　計57名

■発刊日

2009年10月

■頁数

400頁

■造本

Ｂ５

■価格

定価51,700円（本体47,000円、送料別）

発売：（株）日本テクノセンター　　　　発行：(株)エヌ・ティー・エス