• 2022年03月11日(金) 10:30 ~ 17:30

１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）ならびにパワーデバイスとは何か
　　（１）．パワエレとパワーデバイスの仕事・役割
　　（２）．パワーデバイスの主な適用製品と市場規模
　　（３）．自動車におけるパワエレ装置
　　（５）．インバータ回路を使った直流から交流への変換
　　（６）．パワーデバイスの種類と基本構造
　　（７）．パワーデバイスの適用分野
　　（８）．パワーデバイスの開発のポイント

２．シリコンパワーデバイスの進展
　　（１）．パワーデバイス市場の現在と将来
　　（２）．ＭＯＳＦＥＴとＩＧＢＴの構造の違い
　　（３）．ＭＯＳＦＥＴ素子平面図と素子内セルの配置例
　　（４）．ＭＯＳＦＥＴとＩＧＢＴの動作上の特徴
　　（５）．シリコンＩＧＢＴ特性改善を支える技術
　　（６）．薄ウェハ化の限界による次世代技術の開発
　　（６）．シリコンＩＧＢＴ実装技術とその進展
　　
３．ＳｉＣパワーデバイス技術と製品応用・例
　　（１）．半導体デバイス材料の変遷
　　（２）．ワイドバンドギャップ半導体とは？
　　（３）．ＳｉＣ／ＧａＮのシリコンに対する利点
　　（４）．ＳｉＣならびにＧａＮデバイス構造
　　（４）．なぜＳｉＣ－ＩＧＢＴではないのか？
　　（５）．ＳｉＣパワーデバイス実用化の４つの課題
　　（６）．最新ＳｉＣパワーデバイス技術
　　（７）．ＳｉＣパワー半導体（ＳＢＤ）の製品応用例
　　（８）．将来のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ構造（ＳＪ－ＭＯＳＦＥＴ）

４．ＧａＮパワーデバイスの現状と製品応用
　　（１）．ＧａＮデバイス構造は”横型ＧａＮ　ｏｎ　Ｓｉ”が主流
　　　　・なぜ縦型ＧａＮ　ｏｎ　ＧａＮではないのか？
　　（２）．ＧａＮ－ＨＥＭＴデバイスの特徴
　　（３）．ＧａＮ－ＨＥＭＴのノーマリ－オフ化
　　（４）．ＧａＮパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　　（５）．縦型ＧａＮデバイスのへの挑戦

５．高温対応実装技術
　　（１）．ＩＧＢＴモジュール動作中の素子破壊事例
　　（２）．ＩＧＢＴモジュールのスイッチング波形
　　（３）．ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール用パッケージ
　　（４）．パワーサイクル試験による寿命比較
　　（５）．ＩＧＢＴモジュール構成材料の熱伝導率
　　（３）．ますます重要度を増すＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴモジュール開発

６．まとめ

オンラインセミナー