プラズマCVDの基礎と表面処理・薄膜作成への応用

~ 低温・高能率成膜のために考慮するべき事柄、大気圧下(高圧下)での放電の特徴、成膜プロセスに影響を及ぼす因子、VHF(超高周波)およびRF励起大気圧プラズマによる薄膜形成例 ~

・プラズマCVD技術を基礎から修得し、高機能な薄膜作成へ応用するための講座
・最近注目されている大気圧プラズマを用いた高性能で低コストの表面処理・成膜技術を学び、製品開発へ応用しよう!

講師の言葉

 先端産業や科学技術の発展を支えている技術の一つとして、減圧下(真空)で発生させたプラズマを用いたプラズマCVD(化学気相成長: Chemical Vapor Deposition)法が挙げられます。プラズマCVD法は、複雑な化学反応を伴うプロセスであり、未解明な部分がまだまだ多いのが現状ですが、様々な機能材料の薄膜(機能薄膜)を比較的低温で形成できるという優れた特徴を有しているため、工業的に非常に重要な技術となっています。実際、この技術は各種工業、特に半導体や電子部品工業において急速に進歩し、生産レベルでも既に広く活用されているだけでなく、その応用分野はますます拡大しつつあります。
 近年、減圧プラズマに代わる新たなプラズマ源として大気圧プラズマ(常圧プラズマ)が注目され、国内外を問わず、そのプロセスへの応用研究が活発に進められています。放電がアークもしくはフィラメント状にならないプラズマ条件や電極構造が研究されるとともに、パルス放電、誘電体バリア放電、プラズマジェットなど、様々なタイプのプラズマ源が開発されつつあります。大気圧プラズマの表面処理プロセスへの応用に関しては、成膜用ガラス基板表面のクリーニング、樹脂基板の表面改質によるぬれ性、付着力、接着性能の改善など、多くの報告がなされています。一方、薄膜形成技術に関する最近の研究動向としては、チャンバーを用いない低コスト成膜法としての開発が中心となっており、成長雰囲気への大気混入が問題にならない酸化物系(SiO2、ZnO、TiO2等)の薄膜や、炭素系(非晶質C、DLC等)の薄膜等の形成が報告されています。しかし、一般に、大気圧プラズマを用いた成膜プロセスではダスト汚染が生じやすい、等の理由により、限られた報告しかないのが現状です。
 本講義では、プラズマの基礎およびプラズマCVD法について、文献等を元にした成膜例を交えて説明します。また、大気圧プラズマを用いた高性能で低コストの表面処理・成膜プロセスを実現するためにはどうすればいいか、について、これまでのSiやその化合物材料の低温・高速成膜研究で得られた知見を基に解説します。

セミナー詳細

開催日時
  • 2020年05月28日(木) 10:30 ~ 17:30
開催場所 日本テクノセンター研修室
カテゴリー 加工・接着接合・材料
受講対象者 ・表面処理・成膜関連の技術者の方
・プラズマを用いた成膜プロセスの研究開発に興味のある方
・大気圧プラズマを材料プロセスに応用することを考えている方
予備知識 ・高校卒業程度の数学や物理の知識
・表面処理・薄膜形成やプラズマについての基礎知識があれば理解しやすい
修得知識 ・プラズマの基礎
・プラズマを用いた薄膜作製プロセスの基礎
プログラム

1.様々なプラズマとその応用
  ・プラズマの応用例を解説

2.一般的な薄膜作製法
  (1).薄膜作製法(気相法)の種類
  (2).プラズマの効果

3.プラズマCVD(化学気相成長)
  (1).プラズマCVDの概要
  (2).プラズマCVDにおける薄膜の成長過程
  (3).低温・高能率成膜のために考慮するべき事柄

4.成膜プロセスの低温化・高能率化のためのプラズマ源
  (1).減圧下における高密度プラズマ
  (2).高圧(準大気圧)プラズマ
  (3).大気圧プラズマ

5.プラズマ生成の基礎的概念
  (1). プラズマを記述する基礎方程式
  (2). プラズマの一般的性質
  (3). プラズマ生成の基礎理論の概略
  (4).大気圧下(高圧下)での放電の特徴
  (5).その他

6.一般的な減圧プラズマによる薄膜形成例
  (1).シリコン(Si)系材料の成膜プロセスの概要
  (2).成膜プロセスに影響を及ぼす因子について

7.一般的な大気圧プラズマ源(誘電体バリア放電、プラズマジェット等)による薄膜形成例
  (1).誘電体バリア放電による薄膜形成例
  (2).プラズマジェット等による薄膜形成例

8.VHF(超高周波)およびRF励起大気圧プラズマによる薄膜形成例
  (1). Si薄膜
  (2). Si系化合物薄膜
  (3). その他

9.まとめ

キーワード プラズマ プラズマCVD 減圧プラズマ 大気圧プラズマ 薄膜 常圧プラズマ パルス放電 誘電体バリア放電 プラズマジェット ぬれ性 薄膜作製 化学気相成長 プラズマ源 
タグ プラズマ薄膜表面処理・めっき
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
日本テクノセンター研修室
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 小田急第一生命ビル(22階)
- JR「新宿駅」西口から徒歩10分
- 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分
- 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666
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