フルカラーGaN指向性マイクロLEDの開発と高効率化技術

~ エバネッセント光の結合効果を利用した指向性マイクロLED、GaN赤色LEDの高効率化 ~

・低消費電力、高輝度、高解像度という特長からこれからの表示デバイスとなる指向性マイクロLEDを先取りし、応用するための講座

・「液晶」や「有機EL」とは全く異なる表示形式で、高精細、高画質での美しい映像美が期待されるマイクロLED技術を修得し、製品開発に活かそう!

講師の言葉

 窒化物半導体マイクロLEDは、次世代の携帯型・ウェアラブル型情報端末のための低消費電力、高輝度、高解像度のディスプレイとして期待されている。しかし、マイクロLEDの実現のためには、多くの技術的課題を解決しなければならない。
 本セミナーの前半では、まず、マイクロLEDディスプレイの実現に向けて解決しなければならない課題を整理して説明するとともに、これらの課題の解決に有望な技術について解説する。また、我々のグループでは、高効率・高輝度・高解像度のマイクロLEDディスプレイのための有望なデバイスとして、指向性を持つマイクロLEDを提案し、その実現を目指している。セミナーの後半では、指向性マイクロLEDの基本原理を説明した後に、窒化物半導体によるRGB3原色の指向性マイクロLEDの実現に向けた取り組みの状況について紹介する。

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セミナー詳細

開催日時
  • 2019年09月24日(火) 10:30 ~ 17:30
開催場所 日本テクノセンター研修室
カテゴリー 電気・機械・メカトロ・設備
受講対象者 ・ディスプレイ、情報機器、電子部品その他関連企業の技術者の方
・マイクロLEDに興味を持つ企業の技術者、研究者の方
予備知識 ・半導体デバイス・材料の基礎知識
修得知識 ・マイクロLEDディスプレイの基本性能、開発動向
・マイクロLEDディスプレイの実現に必要な結晶成長技術、デバイスプロセス技術、実装技術
プログラム

1.背景:なぜマイクロLEDディスプレイが必要か?
  (1).次世代のウェアラブル情報端末ディスプレイに要求される性能
  (2).各種ディスプレイの性能比較
  (3).海外の開発動向

2.現在のマイクロLED技術の課題と開発の状況
  (1).チップサイズの縮小に伴う諸問題
    a.内部量子効率の低下
    b.光取出し効率の低下
    c.光のクロストーク
  (2).赤色波長帯における発光効率低下問題
  (3).赤・緑色チップにおける発光波長シフト問題
  (4).低コスト、高速実装問題

3.エバネッセント光の結合効果を利用した指向性マイクロLED
  (1).従来のLED指向性制御技術:微小共振器、フォトニック結晶
  (2).エバネッセント光の結合効果
    a.エバネッセント光とは何か?
    b.微小リッジ構造におけるエバネッセント光の結合効果
  (3).指向性マイクロLEDの提案
  (4).InGaAs/GaAsリッジ型LEDによる実証

4.GaN指向性マイクロLEDの理論的検討
  (1).構造の最適化、発光効率の見積
  (2).ディスプレイ輝度の試算
  (3).RGBモノリシック集積の可能性

5.GaN指向性マイクロLEDの実現に向けて
  (1).微小発光源の作製方法
  (2).選択成長方式
  (3).トップダウン方式
    a.中性粒子ビームエッチング技術
    b.内部量子効率評価
    c.デバイス試作

6.準大気圧プラズマMOCVDによるGaN赤色LEDの高効率化の可能性

7.まとめと今後の展望

キーワード マイクロLED GaN 光取出し効率 クロストーク エバネッセント光 微小共振器 フォトニック結晶 準大気圧プラズマMOCVD
タグ 精密機器・情報機器色彩工学光学LED・有機EL・照明
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
日本テクノセンター研修室
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビルディング(22階)
- JR「新宿駅」西口から徒歩10分
- 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分
- 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666
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