～ 温度測定と熱設計、過渡熱抵抗カーブと構造関数の違い、シミュレーション精度の向上 ～
・経験豊富な講師から、熱解析の基礎からノウハウまでを体系的に学び、実務に活用しよう！
※シミュレーションの効果と実測との差異における原因の特定と精度の改善を可能とするモデル作成方法も修得できます
※ＰＣは弊社で用意致します。
電子デバイスの熱解析と熱設計に活かすためのポイント ～１人１台PC演習付～
講師の言葉
近年、電子デバイスの電力密度が高くなってきており、各デバイス単体、モジュールやシステムにおける熱設計に注目を浴びている。ここで、半導体ICパッケージの熱規格をしっかり押さえた上でパワーデバイスへの応用について紹介する。さらに、熱設計に欠かせない放熱材料の熱伝導率測定方法や熱抵抗の評価についても紹介する。ジャンクション温度は直接測定することが困難であり、数値計算で見積もっていることが多い。本講座では実機と計算結果の差異についての検証法を解説する。
最近では熱特性について非破壊でパッケージ内部の可視化により、構造関数でパッケージ抵抗・熱容量や放熱を検証しているが、従来の熱回路による検討と同様に議論するためには構造関数の正しい理解が必要である。そこで、構造関数の意味や算出方法について解説し、応用展開について紹介する。さらに、熱抵抗の議論に一般的に使われている過渡熱抵抗カーブ（Ｚｔｈ）と構造関数の違いによる内部構造の分離方法について実例を含めて紹介する。
また、熱解析にてシミュレーションの結果と実測の差異に悩んでいる技術者の方が多いと思われる。 そこで、この原因の特定と精度の改善を可能とする実測の構造関数を使ったシミュレーションモデル作成方法、並びに実測とシミュレーションの構造関数の整合による、シミュレーションパラメータの高精度算出方法や接触熱抵抗の算出について説明する。併せて設計者がＣＡＤ上で自身の作成したモデルに対して容易に熱解析を実施できる設計者向けＣＦＤツールを使って、熱解析および構造関数の算出方法を紹介する。
セミナー詳細
| 開催日時 |
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|---|---|
| 開催場所 | 日本テクノセンター研修室 |
| カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 |
・半導体のシステム、素子、放熱材料、放熱部品など熱設計業務に携わっている方 ・熱測定における各手法の特性について学びたい方 ・熱解析などに使用する構造関数について、基礎から見直したい方 ・熱解析と実機計測の差異で、相関が取れず要件成立の見通しが図れなくて困っている方 |
| 予備知識 | ・高校卒業程度の数学、物理の知識があれば問題ございません |
| 修得知識 |
・各熱測定における長所や短所を理解でき、実務に応用できる ・構造関数の使い方について理解出来る |
| プログラム |
１．温度と熱測定 ２．Ｔ３ＳＴＥＲ－Ｍａｓｔｅｒによる構造関数作成 ３．電子デバイスの熱解析 ４．実測とシミュレーション差分検証 ５．設計者向けCFDツールの紹介 |
| キーワード | 熱測定 構造関数 時定数 温度測定 過渡熱抵抗カーブ 等温面 ＩＣ パワー半導体 過渡熱測定 測定モード ＪＥＤＥＣ規格 Ｓｉ ＳｉＣ ＧａＮ ＩＧＢＴ 熱解析 ＣＦＤ 非破壊測定 |
| タグ | 電源・インバータ・コンバータ、電子部品、熱設計 |
| 受講料 |
一般 (1名)：50,600円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：45,100円(税込) |
| 会場 |
日本テクノセンター研修室〒 163-0722 東京都新宿区西新宿２－７－１ 新宿第一生命ビルディング（２２階）- JR「新宿駅」西口から徒歩10分 - 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分 - 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分 電話番号 : 03-5322-5888 FAX : 03-5322-5666 |
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