微小めっき技術の基礎と三次元実装への応用および最新技術

〜 高密度、高速化対応技術、電流密度分布、添加剤、低線膨張銅めっきによる基板反り対策技術 〜

微小めっきの基礎と三次元実装への応用を学び、TSV化や基板反り対策へ活かすための講座

微小めっきの高速化技術や基板反り対策技術を学び、高密度プリント基板設計技術に活用しよう!

講師の言葉

 微小めっき技術は、液晶用途のバンプめっき、ビルドアッププリント基板、超LSI用Cu配線形成など適用分野が広範で、最近ではTSV形成技術が脚光を浴びている。特にTSVを用いた3次元実装は、高密度で高速伝送特性を達成する実装方式であり、高アスペクトなTSVが接続距離と信号伝送遅延を最小化する。このように高アスペクトな電極形成には、電気Cuめっきと添加剤が用いられている。この電気Cuめっきプロセスは貫通電極形成コストの40%を占めるため、めっき時間の高速化が重要である。また、貫通電極にボイドが形成されると信頼性を損なうため、ボイドフリーなCuめっき条件の探索が重要になる。

 本講演では微小めっきの基礎から解説する。微小めっきの定義からはじまり、微小めっきの形状を決定する電流密度分布について説明する。さらにTSVめっきの一般的な添加剤を定義する。つづいて研究成果では、電流密度分布の応用例として、バンプめっき、ビルドアッププリント基板に関して概説する。さらにTSVめっき添加剤のメカニズムやTSVめっきの高速化の実例を詳細に説明する。最後に、世界各社での三次元実装やTSV形成技術の動向、低線膨張銅めっき、一価銅の促進機構を概説する。 

セミナー詳細

開催日時
  • 2018年03月15日(木) 10:30 ~ 17:30
開催場所 日本テクノセンター研修室
カテゴリー 化学・環境・異物対策
受講対象者 ・電子材料及び電子装置開発業務に携わっている方 ・回路基板、実装技術関連の方
予備知識 ・高校化学の知識があると望ましい
修得知識 ・微小めっきの基礎及びプリント基板流動時における反り対策等に応用できる最先端の知識
プログラム

1.微小めっき技術の基礎

  (1).電流密度分布

  (2).穴埋め添加剤


2.微小めっき技術の研究と高速化

  (1).添加剤の効果

  (2).電流密度分布の計算と適用

  (3).TSVめっきの埋め込み

  (4).めっき時間の高速化

  (5).一価銅の役割


3.実用化する三次元実装

  (1).伸びているDRAMの三次元実装市場

  (2).ECTC(2012)

  (3).有機基板上の結線


4.低線膨張銅めっきとその応用

  銅めっきは樹脂のYoung率と比べて24倍多いので、著しくプリント基板、

  コアレスプリント基板の反りを抑制する。基板分野のみではなく、広範囲な応用がある。

5.一価銅と塩素とSPSとの促進反応

  

キーワード TSVめっき 電流密度分布 プリント基板 低膨張銅めっき 一価銅 添加剤 バンプめっき
タグ 化学化学工学金属材料プリント基板表面処理・めっき
受講料 一般 (1名):48,600円(税込)
同時複数申込の場合(1名):43,200円(税込)
会場
日本テクノセンター研修室
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 小田急第一生命ビル(22階)
- JR「新宿駅」西口から徒歩10分
- 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分
- 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666
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