• 2018年03月19日(月) 10:30 ～ 17:00

１．研磨・CMPによる基板加工技術の基礎

　　（１）．単結晶素材の基板加工技術の基礎

　　　　ａ．一般的な基板加工の流れ

　　　　ｂ．研磨加工技術の分類と超精密ポリシング（CMP）の位置づけ

　　　　ｃ．アプリケーションプロセスから見た基板加工技術の在り方

　　（２）．研磨加工技術の基礎

　　　　ａ．プレストンの法則

　　　　ｂ．研磨パッドと基板相互間での研磨圧力と相対摩擦速度の基礎

　　　　ｃ．プレストンの法則に従った加工例

　　（３）．研磨・CMPの基礎

　　　　ａ．研磨・CMPにおける消耗副資材の役割

　　　　ｂ．消耗副資材の選定方法とそのトレンド

　　　　ｃ．研磨条件の一般的な基本的選定法

　　（４）．難加工基板に用いられる研磨装置

　　　　ａ．難加工基板の標準研磨プロセスと研磨装置の構成

　　　　ｂ．メカニカルポリッシングで用いられる研磨装置

　　　　ｃ．超精密ポリシング（CMP）で用いられる研磨装置

２．研磨・CMPにおけるメカニズムとその応用

　　（１）．In−situ計測技術を導入した最新モニタリング研磨加工技術

　　（２）．研磨パッド表面性状のモニタリング技術

　　（３）．研磨中におけるスラリー（研磨液）流れ場のモニタリング技術

　　（４）．各種モニタリング結果例

　　（５）．モニタリング結果のマルチ分析に基づく研磨メカニズムと消耗副資材選定のヒン

　　　　　　ト

３．難加工材の研磨加工　〜窒化ガリウムやダイヤモンドを例として〜

　　（１）．次世代デバイスに用いられる難加工結晶材

　　（２）．窒化ガリウム基板の研磨ダメージ解析

　　（３）．窒化ガリウム基板の超精密ポリシング（CMP）の高速化

　　（４）．難加工結晶素材のための新しい研磨加工技術

　　（５）．究極の難加工材料（ダイヤモンド）の研磨技術

　　（６）．注目されるアシスト研磨法

日本テクノセンター研修室