LED、VCSELの劣化メカニズムと解析技術および信頼性向上への応用

〜 発光デバイスの基本的な劣化解析事例および劣化の抑制方法、GaN系LD、LED、VCSEL(面発光レーザ)の信頼性向上のポイント 〜

・高性能な製品開発の鍵を握る発光デバイスの信頼性向上技術を修得する講座

・半導体発光デバイスの故障解析技術を修得し、高性能で信頼性の高い製品開発に活かそう! 

・長年にわたる講師の豊富なデータに基づき、各種劣化モードの事例を示しながら詳しく解説いたします

講師の言葉

 半導体レーザ・発光ダイオードなどの半導体発光デバイスは、大中容量ファイバ通信システム用の光源のみならず、オーディオ/ディジタルシステムなどの民生機器用光源や光プリンタ用光源、最近では、医療用小型光源、各種センサー、さらには、白色LEDをベースにした各種照明、ディスプレイなど極めて多岐にわたる領域に用いられており、その材料・構造も多種多様となっています。そのため、高性能で信頼性の高い製品を開発するには、発光デバイスの信頼性向上が重要な鍵を握っているといっても過言ではありません。しかし、その故障(劣化)の原因を解析・究明するためには、経験に基づいた知識を持ち、かつそれをうまく応用できる技術者が不足しているため、より信頼性の高いデバイスを開発・供給できないのが実情です。
 そこで、今回は、こうした発光デバイスの高信頼化の鍵を握る劣化解析および劣化解析事例について、本講師の永年にわたる豊富なデータに基づいて、デバイスの各種信頼性試験、信頼性解析のフローチャートと要素技術、解析する際の留意点などについて触れ、講義の中核の事例では、発光デバイスの基本的な劣化解析事例や派生的な劣化の解析事例および劣化の抑制方法を示します。今回は、LED、特に、赤外LED、青色LED、さらには最近爆発的に需要が伸びているVCSE(面発光レーザ)Lの技術動向および信頼性研究の最新情報に焦点を当て、各種劣化モードの事例を示しながら、詳しく解説致します。

セミナー詳細

開催日時
  • 2017年04月11日(火) 10:30 ~ 17:30
開催場所 日本テクノセンター研修室
カテゴリー 電気・機械・メカトロ・設備
受講対象者 ・半導体発光デバイス、特に各種LED、VCSELの研究、開発、設計、製造、信頼性試験・解析に従事している方 ・光マイクロエレクトロニクス、光学関連材料、光実装の関連分野の方  (照明、ディスプレイ、通信システム用の光源、民生機器用光源、光プリンタ用光源、医療用小型光源、各種センサーなど) *本講座で扱う対象は、LED搭載機器の信頼性ではなく素子、発光デバイスの信頼性です
予備知識 ・半導体発光デバイスの研究、開発、設計、製造、技術、信頼性評価に関する一般的な知識
修得知識 ・発光デバイス(LED、VCSEL)の劣化メカニズムを把握し、劣化要因低減の方策が得られる
プログラム

1.各種LEDの技術動向
 (1).赤外LEDの技術動向
 (2).GaN系LED(InGaN、AlGaN)の技術動向
 (3).VCSELの技術動向

2.LEDの基本特性と寿命試験
 (1).基本特性 
 (2).寿命試験
    a. 通電試験(スクリーニング、実装後のランニング試験)
    b. 温度加速試験(寿命予測)
    c. 大電流通電試験(動作限界の把握、定格電流の提示)

3.LEDの故障(劣化)解析技術
 (1).外観検査技術
    a. 光学顕微鏡
    b. 走査型電子顕微鏡(SEM)
 (2).内部解析技術
    a. 電気的評価(断面EBIC)
    b. 光学的評価(PL、 CL、 EBIC)
    c. 結晶学的評価(エッチング、X線トポグラフ、TEM)
    d. 化学組成評価(SEM/EDX、TEM/EDX、オージェ分析)
 (3).故障解析のフローチャート

4.発光デバイス材料の問題点
 (1).結晶欠陥の発生と抑制方法: 界面欠陥、バルク欠陥
 (2).熱的安定性: 組成変調構造、秩序構造(自然超格子)

5.赤外LED(III-V族化合物半導体)の故障(劣化)解析事例
 (1).半導体発光デバイスの故障モード
 (2).急速劣化の解析事例
 (3).遅い劣化の解析事例 
 (4).衝撃劣化の解析事例
 (5).頓死モードについて

6.GaN系LD、LEDの信頼性
 (1).材料の課題
 (2).信頼性と劣化メカニズム:InGaN系、AlGaN系

7.VCSELの信頼性
 (1).VCSELの弱点とは?: その開発上の材料の課題
 (2).VCSELの劣化メカニズム
 (3).VCSELチップおよびVCSEL搭載モジュールの信頼性向上のポイント

キーワード 発光デバイス LED VCSEL 面発光レーザ 通電試験 温度加速試験 寿命予測 外観検査 SE M エッチング  X線トポグラフ TEM オージェ分析 結晶欠陥 組成変調構造 InGaN系 AlGaN
タグ レーザ信頼性試験・故障解析LED・有機EL・照明
受講料 一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込)
会場
日本テクノセンター研修室
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 小田急第一生命ビル(22階)
- JR「新宿駅」西口から徒歩10分
- 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分
- 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666
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