〜 酸化ガリウムの基礎、作製方法、パワーデバイスとしてのMESFET、MOSFETへの応用 〜
・発熱ロスを低減させる新しいパワーデバイス用材料である酸化ガリウムを先取りし、高性能なデバイス開発に応用するための講座
・これまで詳細に講義されることのなかった酸化ガリウムの物性と作製方法を修得し、超低損失なパワーデバイス開発へ応用しよう!
・酸化ガリウムは、シリコンの1000分の1、SiCの10分の1、GaNの4分の1もの低損失化が期待されています
〜 酸化ガリウムの基礎、作製方法、パワーデバイスとしてのMESFET、MOSFETへの応用 〜
・発熱ロスを低減させる新しいパワーデバイス用材料である酸化ガリウムを先取りし、高性能なデバイス開発に応用するための講座
・これまで詳細に講義されることのなかった酸化ガリウムの物性と作製方法を修得し、超低損失なパワーデバイス開発へ応用しよう!
・酸化ガリウムは、シリコンの1000分の1、SiCの10分の1、GaNの4分の1もの低損失化が期待されています
この講義は、新しいパワーデバイス用材料として注目を浴びている、酸化ガリウムの歴史・物性から最新のデバイス応用例までを網羅したものであり、本講義によって酸化ガリウムの物性とデバイス応用に関する知見のおおよそを理解する事を目的とする。
現在、パワーデバイス応用を目指した酸化ガリウム開発は、α-Ga2O3とβ-Ga2O3のそれぞれの結晶型をベースとする2種類のものが存在する。本講義では、良く知られているβ-Ga2O3に加えて、最近目覚ましく開発が進んでいるα-Ga2O3の開発の詳細についても講義する予定である。
本講義を通じて、大変ホットな材料である酸化ガリウムの理解が深まり、受講者がその開発研究に着手するきっかけとなれば幸いである。
開催日時 |
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開催場所 | 日本テクノセンター研修室 |
カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
受講対象者 | ・大学や企業において、パワーデバイス開発を担われている方 ・薄膜成長やその他の半導体デバイス開発に関わる方 ・新しい材料であるので、ベンチャー企業の技術開発に関心がある方も大歓迎です |
予備知識 | ・講義内容は専門的ではあるが、難解な数式や理論は登場しないので、特に予備知識は必要としません ・結晶成長やその評価手法に関して予備知識があれば、講義内容がより理解しやすいです |
修得知識 | ・これまで詳細に講義される事が無かった酸化ガリウムの物性とデバイスの特徴を理解出来るだけでなく、最近の応用開発例に関する情報が修得可能である |
プログラム |
1.酸化ガリウムの基礎 2.酸化ガリウム(Ga2O3)の作製方法 3.β-Ga2O3を用いたデバイス応用 4.α-Ga2O3を用いたパワーデバイス応用 |
キーワード | 酸化ガリウム パワーデバイス α-Ga2O3 β-Ga2O3 MOSFET HEMT ミストCVD法 MIST EPITAXY®法 |
タグ | パワーデバイス、薄膜、基板・LSI設計、電源・インバータ・コンバータ、電子部品 |
受講料 |
一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込) |
会場 |
日本テクノセンター研修室〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビルディング(22階)- JR「新宿駅」西口から徒歩10分 - 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分 - 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分 電話番号 : 03-5322-5888 FAX : 03-5322-5666 |
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