パワーデバイスの基礎とSiC／GaN実装技術・信頼性評価

講師の言葉

（第１部）
　現在パワーデバイスは、ほぼ100％シリコンを用いて製造されています。一方で、シリコンパワーデバイスは性能の限界が近いと言われだしました。そこで、ワイドギャップ半導体であるSiCやGaNを用いてこの性能限界を超えようという機運が盛り上がっています。確かに、試作されたSiC/GaNパワーデバイスの性能はシリコンを凌駕します。
　しかしながら、本格的な量産のためには、課題が多く存在しています。結晶製造技術、チップ製造技術、モジュール製造技術、周辺受動部品開発等多岐にわたる課題と対策を分かりやすく解説します。

（第２部）
　現在のパワーエレクトロニクスは、Siパワー半導体の技術に立脚している。これまでは、Siパワー半導体の性能向上に伴って、パワーエレクトロニクスも順調に性能を向上させてきた。しかし、最近ではSiの物性に起因する性能限界から、Siパワー半導体の性能にも限界が見え始めている。この限界を突破する技術として、SiCやGaNなどの先進パワー半導体が期待を集めており、素子の供給も始まっている。しかし、これら先進パワー半導体が持つ優れた性能を活用するパワーエレクトロニクス機器の実現には、パワー半導体の単純な置き換えでは不十分であり、実装技術のレベルアップも必要である。
　本講演では、先進パワー半導体を活用するための実装や、関連する材料・部品の技術に関して解説する。

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