〜パワーデバイスの基本動作と実用化への問題点および対策〜
・長年にわたり技術者としてパワーデバイスに携わってきた経験を基に解説する講座
・教科書的ではない、実務の中で培われたパワーデバイスの開発と課題解決策を詳解する特別講座！
信頼性向上のためのパワーデバイスの基礎と課題解決
講師の言葉
講師は、1974年からの36年間をトランジスタの製造, 開発、トランジスタ モジュールの開発、IGBTとIGBT用の高速ダイオードの開発、さらにシミュレータを使った基本現象の解析と、一貫してパワーデバイスに現役技術者として携わってきた。
自ら納得するまで考えることをモットーにする講演者が、その各時期で考えた経緯と各パワーデバイスに対する考えを紹介する。現在、定説になっているものもあれば、提案だけに止まっているものもある。教科書的に受け取るには問題があるかもしれないが、課題解決のアプローチの参考になると考える。
講演者の職歴は、ちょうどパワーエレクトロニクスを飛躍的に発展させたBJTやGTOの自己遮断可能なパワーデバイスの誕生から、IGBTの発展、SiCデバイスの出現と実用化と重なる。
セミナー詳細
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| 開催場所 | |
| カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
| 受講対象者 | ・パワーデバイスの概要を俯瞰的に知りたい方。特に教科書的な文献の説明に納得できない方。 |
| 予備知識 | ・pnダイオードとバイポーラトランジスタの動作を、何らかの書物を読まれると理解が深まります |
| 修得知識 | ・半導体デバイスの大まかな基本動作原理 ・各種パワーデバイスの概要 |
| プログラム |
１. パワーデバイスの進歩 ２. 各デバイスの基本動作 ３. 各デバイスの実用化を妨げた問題と対策 ４. 期待されているパワーデバイスとその問題点 |
| キーワード | パワーデバイス ダイオード サイリスタ トランジスタ pinダイオード GTO GCT Bipolarトランジスタ (BJT) IGBT ショトキー バリア ダイオード (SBD) プレーナ形デバイス 安全動作領域 IGBT 宇宙線誘起破壊 SiC VF劣化 SiC SBD, MOSFET GaN SBD HFET ダイヤモンド SBD 電界放出デバイス |
| タグ | パワーデバイス、電子機器、電子部品、電装品 |
| 受講料 |
一般 (1名)：50,600円(税込)
同時複数申込の場合(1名)：45,100円(税込) |
| 会場 |
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