次世代パワー半導体 〜省エネルギー社会に向けたデバイス開発の最前線〜
価格
¥ 51,700
■概要
★ ポストSiのSiC、GaN、ダイヤモンド半導体の材料研究、パワーデバイスの開発事例を解説。
★ 次世代パワーデバイスの市場動向、各産業界への応用展望を紹介。
序論 次世代パワー半導体の技術戦略と実用化に向けた展望
第1編 次世代パワー半導体の研究開発動向
際1章 SiCパワー半導体
第2章 GaNパワー半導体
第3章 ダイヤモンドパワー半導体
第2編 パワーデバイス開発の最前線
第1章 SiCパワーデバイスの研究開発
第2章 GaNパワーデバイスの研究開発
第3章 ダイヤモンドパワーデバイスの研究開発
第4章 パワーデバイスの実装技術の研究動向
第3編 次世代パワーデバイスの本格導入を見据えた各界の動向
第1章 省エネ革命の主要デバイスとして注目される次世代パワー半導体
第2章 パワーデバイス技術革新がもたらす産業界へのインパクト
【執筆者】 計57名
2009年10月
400頁
B5
定価51,700円(本体47,000円、送料別)
発売:(株)日本テクノセンター 発行:(株)エヌ・ティー・エス