〜 SiC材料とSiCデバイスの特徴、アプリケーション応用事例、高温使用によるストレス、高温、高速に向けたアプローチ、パワエレ装置の開発 〜
・SiCパワーデバイスを製品に応用する際の注意点や特性の活かし方が理解できる講座
・低損失かつ高速動作であるSiCパワーデバイスの特徴を理解し、応用製品の開発に活かそう!
〜 SiC材料とSiCデバイスの特徴、アプリケーション応用事例、高温使用によるストレス、高温、高速に向けたアプローチ、パワエレ装置の開発 〜
・SiCパワーデバイスを製品に応用する際の注意点や特性の活かし方が理解できる講座
・低損失かつ高速動作であるSiCパワーデバイスの特徴を理解し、応用製品の開発に活かそう!
第一部
SiCパワーデバイスの開発が緒に就いてから約20年が経過し、最近各種のSiC実用化例が喧伝されるようになってきており、事業化の観点からSiCの応用分野への関心が富に高まってきている。そのせいか、SiCパワーデバイスの基礎や特徴、SiCデバイス開発の経過や先端開発概況、今後のSiCパワーデバイスの開発動向や課題を概括的に知りたいとの要望を、いろいろの分野の方、特に周辺技術分野の方も含めて聞くことが多くなっている。
本セミナーではそのような御要望に少しでもお答えしお役に立てればとの視点から御説明を展開いたしたい。
第二部
ここ数年SiCダイオードを実装したHybrid IGBTモジュールやスイッチング素子もSiCにしたフルSiCモジュールを搭載したアプリケーションが話題になることが多い。ワイドバンドギャップデバイスであるSiCの大きな特徴の一つに高温動作があげられるが、これはモジュール内部の材料やアセンブリー部分も高温へシフトすることを意味する。
本セミナーでは、最初に実際に使用されるアプリケーションを見ながらその要求事項を説明し、次に現行モジュールの高温使用での劣化を具体的に解説し、次に高温、高速化に向けたIGBTモジュールへのアプローチとしてアセンブリーやチップテクノロジーを解説する。最後にSiCデバイスのテクノロジー及び拡販に向けたアプリケーションについて解説します。
第三部
本セミナーでは、実用化が進む1000V級、3300VのSiC製MOSFET、SBD(ショットキーバリアダイオード)への取り組みとその特性、そして、これらパワー半導体を適用したモータ駆動装置、パワーサプライ装置、鉄道車両装置などのパワエレ装置の現状について紹介する。
本セミナーを受講することで、最新のSiCパワー半導体・パワエレ装置の現状を把握するとともに、SiCを適用するうえでの注意点や特性の活かし方などについても理解できるようにする。
開催日時 |
|
---|---|
開催場所 | 日本テクノセンター研修室 |
カテゴリー | 電気・機械・メカトロ・設備 |
受講対象者 | ・パワーデバイスおよびそのユーザー企業の方 (モータ、パワーサプライ、太陽光、風力等インバータ、コンバータ、鉄道車両等の設計者、品質管理関係者) |
予備知識 | ・スイッチングデバイスの応用等経験のある方がより理解しやすい |
修得知識 | ・SiCパワーデバイスの特徴 ・SiCをアプリケーションの中で使う上での注意点や評価方法 ・モジュール化における高温、高速デバイスへのアプローチ ・SiCインバータ、パワエレ装置の開発事例 |
プログラム |
第一部 SiCパワーデバイスの基礎と開発・その応用
1.SiC材料とSiCデバイスの特徴
(1).SiC材料の特徴
(2).SiCデバイスの特徴
2.SiCデバイスの開発概況
(1).SiC パワーダイオード
(2).SiC ユニポーラ パワートランジスタ
(3).SiC バイポーラ パワーデバイス
(4).SiC パワーモジュール
3.SiCパワーデバイスの応用研究と開発動向
(1).電力用SiCインバータの開発
(2).SiCパワーデバイスの開発動向と課題
第二部 SiC・IGBTモジュール:高温、高速デバイスへのアプローチ
1.パワーデバイスの応用:どのようなアプリケーションで使われ、要求される信頼性は?
(1).パワーデバイスの機能
(2).アプリケーション応用事例
(3).パワーデバイスへの要求事項
2.現行パワーデバイスの劣化:高温使用によるストレスとは?
(1).チップ接合及びボンディングの接合への影響
(2).DCB基板とベースプレートの接合への影響
(3).サーマルインターフェースマテリアル(TIM)の影響
(4).スイッチングによるストレイインダクタンスの影響
3.IGBTモジュールの信頼性とトレンド:高温、高速に向けたアプローチとは?
(1).アセンブリーテクノロジー.XT+IGBT5による高温、大電流化
(2).亀裂の伝搬方向パッケージテクノロジーXHPによるスイッチング特性の改善
(3).チップテクノロジーRCDCによる大電流化、パワーサイクルの改善
(4).サーマルインターフェイスマテリアTIM塗布による熱抵抗の改善
4.SiCデバイスの信頼性とトレンド:どのようなアプリケーションから広がっていくのか?
(1).MPSダイオードの特性改善
(2).MOSFETの信頼性と課題
(3).トレンチMOSFET CoolMOSによる信頼性の改善
(4).アプリケーションインパクト
第三部 SiCパワー半導体と適用パワエレ装置の開発事例
1.SiCパワー半導体取り組みの経緯
・Siを適用したパワー半導体の進歩の歴史や性能限界に近づいており、新たな半導体が必要になっていることなど
2.SiCパワー半導体の現状
(1).国のプロジェクトと富士電機の生産ラインの紹介
(2).1000V級MOSFET、SBD(ダイオード)の特性の紹介
・半導体チップ、パッケージの双方
(3).3000V級MOSFET、SBDの特性の紹介
・半導体チップ、パッケージの双方
3.SiCパワー半導体適用パワエレ装置の現状
(1).モータ駆動装置(汎用インバータ、産業ドライブインバータ)
(2).パワーサプライ装置(UPS、太陽光PCS)
(3).鉄道車両装置
(4).電力系統むけパワエレ装置
4.今後の展開
|
キーワード | SiC パワーデバイス パワートランジスタ パワーモジュール DCB基板 サーマルインターフェースマテリアル SBD パワーサプライ |
タグ | パワーデバイス、電源・インバータ・コンバータ、LSI・半導体 |
受講料 |
一般 (1名):49,500円(税込)
同時複数申込の場合(1名):44,000円(税込) |
会場 |
日本テクノセンター研修室〒 163-0722 東京都新宿区西新宿2-7-1 新宿第一生命ビルディング(22階)- JR「新宿駅」西口から徒歩10分 - 東京メトロ丸ノ内線「西新宿駅」から徒歩8分 - 都営大江戸線「都庁前駅」から徒歩5分 電話番号 : 03-5322-5888 FAX : 03-5322-5666 |
こちらのセミナーは受付を終了しました。
次回開催のお知らせや、類似セミナーに関する情報を希望される方は、以下よりお問合せ下さい。
営業時間 月~金:9:00~17:00 / 定休日:土日・祝日