• 2016年04月18日(月) 10:30 ～ 17:30

１．酸化ガリウムの基礎
　　（１）． 酸化ガリウムとは
　　　　　ａ．酸化ガリウム研究の長い歴史 (最初の発見から作製の歴史)
　　　　　ｂ．酸化ガリウムの物性と特徴 (取り扱い方や保管方法)
　　　　　ｃ．パワーデバイス材料としての酸化ガリウムの利点
　　（２）． 他のワイドバンドギャップ材料との比較
　　　　　ａ．GaN、SiCとの物性比較
　　　　　ｂ．他の酸化物材料(ZnO、SnO2 等)との比較

２．酸化ガリウム(Ga2O3)の作製方法
　　（１）． 最安定相βガリア構造β-Ga2O3の作製方法
　　　　　ａ．バルク作製方法
　　　　　ｂ．薄膜作製方法 (MBE、PLD、HVPE 等)
　　（２）． 準安定相 コランダム構造α-Ga2O3の作製方法
　　　　　ａ．粉体作製
　　　　　ｂ．バルク(自立膜)作製 (MIST EPITAXY®法)
　　　　　ｃ．薄膜作製 (ミストCVD法)
　　（３）． その他の結晶多形の作製方法

３．β-Ga2O3を用いたデバイス応用
　　（１）．β-Ga2O3基板を用いた深紫外検知器としての最初の応用
　　　　　ａ．バルク及びホモエピタキシャル薄膜の作製手法
　　　　　ｂ．デバイス構造とその特性
　　（２）． パワーデバイスとしてのSBDへの応用
　　（３）． パワーデバイスとしてのMESFET、MOSFETへの応用

４．α-Ga2O3を用いたパワーデバイス応用
　　（１）． コランダム構造 α-Ga2O3 を用いたMOSFET作製
　　　　　ａ．α-Ga2O3の構造評価
　　　　　ｂ．α-Ga2O3の導電性制御
　　　　　ｃ．コランダム構造酸化物混晶α-(Al、Ga、In)2O3による積層構造の作製
　　　　　d．α-Ga2O3-MOSFETのデバイス特性
　　（２）． コランダム構造α-Ga2O3 自立基板を用いたSBDの作製
　　　　　ａ．MIST EPITAXY®法によるα-Ga2O3自立膜の作製と構造評価
　　　　　ｂ．α-Ga2O3-SBDのデバイス特性
　　（３）． コランダム構造酸化インジウム(α-In2O3)を用いたMOSFET作製
　　　　　ａ．準安定相α-In2O3の作製と構造評価
　　　　　ｂ．α- In2O3の電気特性とα-In2O3-MOSFETのデバイス特性
　　　　　ｃ．α-(Al、Ga、In)2O3を用いたHEMT実現への試み

日本テクノセンター研修室