• 2015年11月25日(水) 10:30 ～ 17:30

１．めっきの基礎ついて
　　（１）．電気化学的析出法
　　（２）．電解と無電解
　　（３）．電気化学的析出法における特徴点

２．電解めっきについて
　　（１）．Cuめっき
　　　　　a．cCuめっきと添加剤
　　　　　ｂ．配線用Cuめっき
　　（２）．Sn-Cuめっき　
　　　　　a．Sn-Cuめっきとウイスカ
　　　　　b．Sn-Cuめっき膜の応力評価
　　　　　c．Cu拡散評価，460
　　　　　d．Sn-Cuめっき膜の結晶構造評価
　　（３）．Auめっき
　　　　　a．Auめっきのナノパターンへの埋め込み検討
　　　　　b．ノンシアンAuめっきを用いたバンプ形成における重金属添加効果
　　（４）．Niめっき（Ni-Feめっき）
　　　　　a．Niめっき作製条件
　　　　　b．Ni-Feめっき作製条件
　　（５）．Co-Ni-Feめっき法を用いた磁気ヘッドの作製
　　　　　a．Co-Ni-Feめっき作製条件と耐食性）
　　　　　b．Co-Ni-Feめっき作製条件と磁気特性
　　　
３．無電解めっきについて
　　（１）．ジンケート処理
　　（２）．素子の電気特性とジンケート処理
　　（３）．無電解めっき法を用いて作製した構造例

４．研究紹介
　　（１）．極微細加工（ナノデバイス造形・評価）
　　（２）．造形支援（精密ナノめっき)

５．早稲田大学におけるめっき実習
　　-パドルめっきを用いたパターンNi-Feめっき膜作製-
　
・実際のめっきプロセスについて紹介する
　本講義においては、実際どのようにめっきプロセスが行われていくのかを具体的に説明することにより、めっきを取り入れたプロセスを行おうと考えている方にとって有効である。めっき前処理プロセス、めっき液、めっき装置、評価装置について紹介する。また、デバイスに適用させるために物性についてどのような評価項目が必要であるかについて、実際に評価を行った結果も併せて紹介する。物性評価は膜応力、膜硬度、膜腐食、X線評価、組成分析、膜厚測定、結晶形態の観察などである。さらに、めっきプロセスをより身近なものとし、めっき法を用いて仕事を行っていく上で、自身でそのテーマを達成できるようなアドバイスを行う。

６．まとめと質疑応答