SiC/GaN(シリコンカーバイド / ガリウムナイトライド)を用いた次世代パワーデバイスの特性と応用例
■概要
SiCやGaNデバイスを利用し、先取りした製品開発を急げ!
■日時
11月 20日(金) 10:00〜17:00
■受講対象者
・自動車電装品開発者
・生活家電開発者
・産業用機器開発者など
■予備知識
・パワーエレクトロニクス回路の基礎知識
・半導体デバイスの基礎知識
■修得知識
・SiC、GaNを使用したパワー半導体デバイスの構造・原理と基礎特性
・アプリケーションへの具体的な適用法
・アプリケーション適用時のメリット・デメリット
■講師の言葉
昨年開催されたCEATEC JAPAN 2008にて,SiCやGaNデバイスを適用した次世代インバータが数件発表されたように,SiCやGaNデバイスは,従来のデバイス単体開発から,インバータ等への実用化技術開発の段階へ突入している。
本講演では,近年開発されているSiCやGaNデバイスの構造・原理,基礎特性から,代用的なアプリケーション,および,適用時の特徴,留意点を横断的に解説する。
■プログラム
1. SiCパワーデバイスの基礎
1.1 SiC-SBD
1.1.1 SiC-SBDの構造・原理
1.1.2 SiC-SBDの基礎特性
1.2. SiC-MOSFET
1.2.1 SiC-MOSFETの構造・原理
1.2.2 SiC-MOSFETの基礎特性
2.GaNパワーデバイスの基礎
2.1 GaN-SBD
2.1.1 構造・原理
2.1.2 基礎特性
2.2 GaN-FET・HEMT
2.2.1 構造・原理
2.2.2 基礎特性
3. SiCパワーデバイスの応用例
3.1 SiCパワーデバイスの応用メリット
3.2 SiCパワーデバイスの留意点
4. GaNパワーデバイスの応用例
4.1 GaNパワーデバイスの応用メリット
4.2 GaNパワーデバイスの留意点
■受講料
1名: 47,250円
複数同時受講の場合 1名: 42,000円
■会場
日本テクノセンター研修室
住所: 東京都新宿区西新宿二丁目7-1 新宿第一生命ビル 22F
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666
