セミナー情報

IGBTとSiC、GaNパワーデバイスの最新技術とその応用

・ハイブリッド自動車・電気自動車を支えるIGBT
・大きな転機にさしかかっているパワーデバイスの最新技術を先取り、応用開発を急げ!

セミナー詳細

開催日時 2010年07月30日(金) 10:30 ~ 17:30
開催場所 【東京】日本テクノセンター研修室
カテゴリー 電気・機械・メカトロ・設備/成形・加工・接着接合・材料/ソフト・データ解析・画像・デザイン
内容 ■概要
・ハイブリッド自動車・電気自動車を支えるIGBT
・大きな転機にさしかかっているパワーデバイスの最新技術を先取り、応用開発を急げ!
■日時
 2010年 7月 30日(金) 10:30~17:30
 *日程が変更になりました 
   
■受講対象
・自動車、電機、モータ、家電、電力関係企業の研究開発部門の若手技術者
■予備知識
・工学系の開発に携わっている人であれば十分です
■修得知識
・パワーデバイス全般の動向、IGBTの動作原理、基本設計、最新情報、将来の動きなど

■講師の言葉
 最近特に注目を集めているIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)について、その構造や動作原理など、開発の歴史と共に解説する。
 IGBTは、その特性の良さから多くの電力変換装置で用いられており、その使い方、設計方法などについてわかりやすく説明する。IGBTはなぜオン電圧が低いのか?IGBTはなぜスイッチング損失が少ないのか?そしてIGBTはなぜ壊れにくいのか?など、その優れた特性について、素子内部の電子・正孔の動きや構造などを根本から解説する。
 またIGBTがこれまでたどった開発の歴史について、どのような問題が発生し、どのように解決してきたのかなど、開発のエピソードなども紹介しながら今日に至った経緯を説明する。IGBTの静特性・動特性などの解説、また安全動作領域の考え方についても説明する。  
 現在パワーデバイスは大きな転機にさしかかっていると言われている。IGBTが誕生して四半世紀が過ぎ、そろそろ特性限界が見え始めているという声も聞かれる。そんな中、次世代のパワーデバイスは何なのか?という議論が盛んである。IGBTの一層の特性改善か、IGBTを凌駕するシリコンデバイスの提案か?またシリコンではなく、パワーデバイスとして特性の優れた半導体材料のSiCやGaNを用いたデバイスか?興味ある議論がなされている。
 今回は実際のデータを示しながらそれら最新の状況を解説する。
■プログラム
Ⅰ.パワーデバイスの現状
  1.パワーデバイスの市場動向
  2.パワーデバイスの市場要求
Ⅱ.パワーデバイスの歴史
  1.BJTからパワーMOSFET、そしてIGBTへ
  2.IGBT開発の歴史(なぜIGBTが中高耐圧デバイスの主役になったか)
  3.パワーMOSFET開発の歴史
Ⅲ.IGBTの動作原理
  1.パワーデバイスシミュレーション技術
  2.IGBTの動作原理
Ⅳ.IGBTの適用方法
  1.静特性、動特性の考え方
  2.安全動作領域の考え方
Ⅴ.IGBT最新技術とその応用および今後の動向
  1.各社最新IGBTの紹介
  2.IGBTの最新学会発表論文の紹介
  3.Siパワーデバイス最新技術とその応用
Ⅵ.新材料によるパワーデバイスの開発
  1.SiCパワーデバイスの開発とその応用
  2.GaNパワーデバイスの開発とその応用
  3.今後の動向
Ⅶ.まとめ
■受講料(消費税等込)
1名:47,250円                     同時複数申込の場合1名:42,000円 
■会場
日本テクノセンター研修室
住所: 東京都新宿区西新宿二丁目7-1 小田急第一生命ビル22F
電話番号 : 03-5322-5888
FAX : 03-5322-5666

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カテゴリ:

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